[發(fā)明專利]MEMS器件及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010135707.5
• 申請(qǐng)日: 2010-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN102198925A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛劍宏;韓鳳芹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇麗恒電子有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種MEMS器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)；

形成在阱區(qū)內(nèi)的源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；

形成在源極區(qū)、漏極區(qū)表面的隔離層；

形成在溝道區(qū)表面的柵介質(zhì)層；

形成在柵介質(zhì)層上方并與柵介質(zhì)層具有間隙的柵電極層，所述間隙寬度與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述柵電極層是單一覆層或者多層堆疊結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述單一覆層?xùn)烹姌O層的材料為導(dǎo)電材料。

4.如權(quán)利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述柵電極層結(jié)構(gòu)為金屬層、形成在金屬層表面的氧化硅層和形成在氧化硅層表面的氮化硅層的三層堆疊結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述隔離層是單一覆層或者多層堆疊結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述隔離層包括依次形成在阱區(qū)表面的保護(hù)層、阻擋層和層間介質(zhì)層。

7.如權(quán)利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氧化硅。

8.如權(quán)利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化硅。

9.如權(quán)利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述層間介質(zhì)層材料為未摻雜的氧化硅或者摻雜的氧化硅。

10.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，柵電極層的寬度與溝道區(qū)的寬度對(duì)應(yīng)。

11.如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述源極區(qū)和漏極區(qū)具有和阱區(qū)相反的導(dǎo)電類型。

12.一種如權(quán)利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有阱區(qū)，所述阱區(qū)內(nèi)形成有源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底表面形成隔離層；

在隔離層內(nèi)形成開口，所述開口暴露出溝道區(qū)和與溝道區(qū)相鄰的部分源極區(qū)、漏極區(qū)；

在所述開口底部形成柵介質(zhì)層；

形成填平所述開口的填充層；

在所述層間介質(zhì)層、填充層表面形成柵電極層；

去除填充層，使柵電極層與柵介質(zhì)層形成間隙。

13.如權(quán)利要求12所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述柵電極層的形成步驟包括：在所述層間介質(zhì)層、填充層表面形成一層?xùn)烹姌O薄膜；在所述柵電極薄膜表面形成與柵電極層對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述柵電極薄膜形成柵電極層。

14.如權(quán)利要求12所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述柵電極層暴露出部分填充層。

15.如權(quán)利要求12所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述柵電極層是單一覆層或者多層堆疊結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求12所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述單一覆層?xùn)烹姌O層的材料為導(dǎo)電材料。

17.如權(quán)利要求15所述的MEMS器件，其特征在于，所述電極層結(jié)構(gòu)為金屬層、形成在金屬層表面的氧化硅層和形成在氧化硅層表面的氮化硅層的三層堆疊結(jié)構(gòu)。

18.如權(quán)利要求12所述的MEMS器件，其特征在于，柵電極層的寬度與溝道區(qū)的寬度對(duì)應(yīng)。

19.如權(quán)利要求12所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，填充層的材料選用與柵電極層和柵介質(zhì)層具有選擇性去除特性的材料。