[發(fā)明專利]一種具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010135681.4
• 申請(qǐng)日: 2010-03-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102199744A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張祝偉;郭傳飛;劉前
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)家納米科學(xué)中心
• 主分類號(hào): C23C14/20
• 分類號(hào): C23C14/20;B32B15/08;B32B27/06
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，包括以下步驟：

1)選取基底；

2)在所述基底上形成聚合物薄膜，并進(jìn)行退火處理，得到該聚合物薄膜厚度為10nm-2μm；

3)在步驟2)所得的聚合物薄膜上形成金屬薄膜，其厚度為2～50nm；

4)用激光在步驟3)所得的金屬薄膜表面進(jìn)行圖案化掃描；

5)將步驟4)所得產(chǎn)物加熱至所述聚合物薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟2)中的聚合物薄膜材料為聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟2)中的退火處理溫度為聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟3)中的金屬薄膜由Sn、In、Au、Bi或Si制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中采用物理氣相沉積法沉積所述金屬薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，在所述步驟4)中采用激光直寫系統(tǒng)進(jìn)行圖案化激光掃描。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟4)中的激光掃描功率為3mw～100mw。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟4)中的激光掃描圖案包括平行線、網(wǎng)格線、同心圓環(huán)及其陣列、橫縱交叉線或放射狀線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微納褶皺圖案的薄膜制備方法，其特征在于，所述的基底為蓋玻片、載玻片、單晶硅片、石英玻璃，普通玻璃、導(dǎo)電玻璃。