[發明專利]一種超薄芯片的倒裝式封裝方法以及封裝體

有效

• 申請號: 201010135510.1
• 申請日: 2010-03-30
• 公開（公告）號: CN101807532A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 張江元;柳丹娜;李志寧
• 申請（專利權）人: 上海凱虹科技電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/492
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種超薄芯片的倒裝式封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一晶圓，所述晶圓的正面具有多個待封裝的芯片結構；

在晶圓正面的芯片結構上的焊盤上粘貼導電薄膜，所述導電薄膜的上下表 面均具有粘性，所述導電薄膜是含有金屬成分的樹脂薄膜；

將粘貼有導電薄膜的晶圓切割成獨立的芯片；

將導電薄膜與引線框架對應的引腳相互對準，從而將芯片粘貼在引線框架 上。

2.根據權利要求1所述的超薄芯片的倒裝式封裝方法，其特征在于，所述金 屬為銀。

3.根據權利要求1或2所述的超薄芯片的倒裝式封裝方法，其特征在于，所 述導電薄膜層中進一步含有焊料。

4.根據權利要求1所述的超薄芯片的倒裝式封裝方法，其特征在于，所述導 電薄膜的厚度范圍是10μm至50μm。

5.根據權利要求1所述的超薄芯片的倒裝式封裝方法，其特征在于，所述在 晶圓正面粘貼導電薄膜的步驟進一步包括：

提供一支撐層；

在所述支撐層的表面上形成一層連續的導電薄膜；

圖形化所述導電薄膜，使其位置和形狀與晶圓正面焊盤相互對應；

將晶圓正面的焊盤與圖形化的導電薄膜相互對準，從而將晶圓粘貼在所述 支撐層的表面上；

將支撐層移除，從而將圖形化的導電薄膜粘貼在晶圓表面的焊盤上。

6.根據權利要求5所述的超薄芯片的倒裝式封裝方法，其特征在于，所述導 電薄膜的兩個表面具有不同的粘附強度，并采用粘附強度較低的一個表面 與支撐層相互粘貼，以有利于粘貼晶圓后將支撐層移除。

7.一種采用權利要求1所述的方法形成的封裝體，包括引線框架以及粘貼在 引線框架上的芯片，所述芯片的焊盤朝向引線框架，其特征在于，在芯片 的焊盤與引線框架的引腳之間設置有導電薄膜，所述導電薄膜的上下表面 均具有粘性，以粘合引線框架和芯片，所述導電薄膜是含有金屬成分的樹 脂薄膜。

8.根據權利要求7所述的封裝體，其特征在于，所述導電薄膜的厚度范圍是 10μm至50μm。

9.根據權利要求7所述的封裝體，其特征在于，所述金屬為銀。

10.根據權利要求7所述的封裝體，其特征在于，所述導電薄膜層中進一步含 有焊料。