[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010135417.0
• 申請日: 2010-03-16
• 公開（公告）號: CN102194722A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱勇;張明;吳偉力
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/77;H01L27/32;H01L23/544
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• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其檢測方法，具體是指有機(jī)電致發(fā)光顯示器在絕緣層和隔離柱制備中的檢測方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)具有固態(tài)發(fā)光、寬視角、超薄、適用溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。OLED顯示器是現(xiàn)在和將來顯示器發(fā)展的必然趨勢。

OLED的制備方法包括基板清洗、輔助電極和陽極的制備、絕緣層和隔離柱制備、有機(jī)薄膜的制備、陰極制備等步驟。其中，制備的陽極為ITO(氧化銦錫)、或IZO(氧化銦鋅)等金屬氧化物。制備的絕緣層和隔離柱組成許多“田字格”，將每個(gè)像素與其四周相鄰的像素隔開，其制備是在陽極(以ITO為例)上通過曝光/顯影過程得到絕緣層和隔離柱，曝光/顯影過程主要包括涂膠、曝光、顯影等步驟。在曝光過程中，控制好曝光時(shí)間和曝光強(qiáng)度是該步驟的關(guān)鍵，在顯影過程中，控制好顯影時(shí)間和顯影強(qiáng)度是該步驟的關(guān)鍵。接著制備有機(jī)薄膜層和陰極層。現(xiàn)有技術(shù)中，制備OLED絕緣層和隔離柱的過程對曝光和顯影步驟控制不佳，如在曝光階段容易出現(xiàn)絕緣材料曝光不足或顯影階段顯影不足，使得曝光/顯影部位仍有部分光刻膠沒有充分曝光或溶蝕掉，繼續(xù)附著在ITO上，阻礙有機(jī)薄膜層的光線從ITO發(fā)出，導(dǎo)致制備的OLED顯示器面板通電后出現(xiàn)暗線、顯示偏暗等現(xiàn)象。而現(xiàn)有技術(shù)中，由于在對絕緣層和隔離柱過程曝光和顯影階段光刻膠曝光顯影不良產(chǎn)生的絕緣材料較薄，用肉眼和顯微鏡檢測較為困難，不容易發(fā)現(xiàn)，而這些不良在通電后會(huì)出現(xiàn)暗線或顯示偏暗的現(xiàn)象，導(dǎo)致顯示面板無法正常顯示，從而降低產(chǎn)品合格率，增加了制造成本。

技術(shù)方案

本發(fā)明的目的在于克服上述缺陷，提供一種OLED檢測方法。

本發(fā)明的上述目的是通過如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明提供一種OLED檢測方法，包括以下步驟：

基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，在非顯示區(qū)域制備檢測片，所述檢測片具有導(dǎo)電材料；

在顯示區(qū)域和檢測片的導(dǎo)電材料上涂絕緣材料，對所述顯示區(qū)域和檢測片進(jìn)行曝光、顯影；

檢測所述檢測片上是否具有絕緣材料。

其中，檢測所述檢測片上是否具有絕緣材料，具體為：

檢測所述檢測片的電阻值。

其中，所述顯示區(qū)域上具有導(dǎo)電材料，所述檢測片上的導(dǎo)電材料與顯示區(qū)域的導(dǎo)電材料相同。

其中，所述導(dǎo)電材料為ITO或IZO。

其中，所述絕緣材料為光敏型絕緣材料，用于制備絕緣層或隔離柱。

還提供一種OLED，包括邦定區(qū)和OLED面板，所述OLED面板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其特征在于，所述非顯示區(qū)域具有檢測片，所述檢測片上具有導(dǎo)電材料。

其中，所述顯示區(qū)域包括陽極層、陰極層和有機(jī)層，所述檢測片上的導(dǎo)電材料與陽極的材料相同。

其中，所述導(dǎo)電材料為ITO或IZO。

本發(fā)明提供的檢測方法，對OLED絕緣層和隔離柱的曝光、顯影過程進(jìn)行檢測，避免不良曝光、顯影的基板無法檢測而流到后續(xù)環(huán)節(jié)，導(dǎo)致最終制備的OLED無法使用。提高絕緣層和隔離柱制備過程中的合格率，節(jié)約成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述的具有一個(gè)檢測片圖形的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明所述的具有多個(gè)檢測片圖形的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明所述的具有陽極圖形的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明所述的制備好陽極和檢測片的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明所述的制備好隔離柱和絕緣層51的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明所述的測試組3的結(jié)構(gòu)的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明所述的具有陽極和一個(gè)檢測片圖形的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明所述的具有陽極和多個(gè)檢測片圖形的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明所述的具有檢測片的OLED結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明是在ITO制備過程中，在基板的非顯示區(qū)域設(shè)置檢測片，用于對絕緣層和隔離柱的絕緣材料的顯影檢測。檢測過程包括制備檢測片，對曝光區(qū)域和檢測片進(jìn)行曝光/顯影，檢測檢測片的阻值，如果阻值為無限大，則說明檢測片上仍有絕緣材料，說明曝光/顯影不完全，需要繼續(xù)進(jìn)行曝光/顯影，如果阻值為定值，則說明檢測片上的絕緣材料顯影完全，測得的阻值為檢測片的阻值。通常情況下，檢測片的阻值為定值。

下面通過具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。