[發(fā)明專利]抗反射涂布材料及包含其的抗反射涂膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010135186.3 | 申請日: | 2010-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102190956A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 莊文斌;陳魏素美;沈永清;張義和 | 申請(專利權(quán))人: | 財團法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | C09D183/10 | 分類號: | C09D183/10;C09D5/00;G02B1/11 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反射 材料 包含 | ||
1.一種抗反射涂布材料,包括以下步驟所得的產(chǎn)物:
提供一聚硅倍半氧烷;
將該聚硅倍半氧烷與一硅氧烷化合物反應(yīng)得到一中間產(chǎn)物;
將該中間產(chǎn)物與一低折射率化合物反應(yīng),得到抗反射涂布材料。
2.如權(quán)利要求1所述的抗反射涂布材料,其中該聚硅倍半氧烷包含具有如公式(I)所示結(jié)構(gòu)的化合物:
(R1SiO(3-x)/2(OH)x)n??公式(I),
其中,X是各自獨立且為1或2;n為大于或等于1的整數(shù);R1是各自獨立且為氫、烷基、或芳香基。
3.如權(quán)利要求1所述的抗反射涂布材料,其中該硅氧烷化合物包含具有如公式(II)所示結(jié)構(gòu)的化合物:
Si(OR2)4??公式(II),
其中,R2是各自獨立且為烷基。
4.如權(quán)利要求1所述的抗反射涂布材料,其中該低折射率化合物為氟硅氧烷、或具有反應(yīng)官能基的氟烷化合物。
5.如權(quán)利要求4所述的抗反射涂布材料,其中該具有反應(yīng)官能基的氟烷化合物的該反應(yīng)官能基為羧基、環(huán)氧基、或異氰酸鹽基。
6.如權(quán)利要求1所述的抗反射涂布材料,其中該硅氧烷化合物具有重量百分比不大于50wt%,以該聚硅倍半氧烷的重量為基準。
7.如權(quán)利要求1所述的抗反射涂布材料,其中該低折射率化合物具有重量百分比不大于50wt%,以該聚硅倍半氧烷的重量為基準。
8.一種抗反射涂膜,是由下列步驟所形成的產(chǎn)物:
將權(quán)利要求1所述的抗反射涂布材料涂布于一基材上,得到一涂布層;以及
將該涂布層固化以形成一抗反射涂膜。
9.如權(quán)利要求8所述的抗反射涂膜,其中固化該涂布層的溫度小于100℃。
10.一種抗反射涂布材料,符合下列公式(III)所示結(jié)構(gòu):
公式(III),
其中,D是聚硅倍半氧烷除去m個羥基之氫的殘基;E是各自獨立且為其中R3是氟烷基,i為0、1或2,j為1、2或3,且i+j是等于3;y為1、2或3,z為0、1、或2,且y+z是等于3;以及,m為大于或等于1的整數(shù)。
11.如權(quán)利要求10所述的抗反射涂布材料,其中D的每一Si原子是與一官能基鍵結(jié),而該官能基為氫、烷基、或芳香基。
12.一種抗反射涂膜,是由下列步驟所形成的產(chǎn)物:
將權(quán)利要求10所述的抗反射涂布材料涂布于一基材上,得到一涂布層;以及
將該涂布層固化以形成一抗反射涂膜。
13.如權(quán)利要求12所述的抗反射涂膜,其中固化該涂布層的溫度是小于100℃。
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C09D183-00 基于由只在主鏈中形成含硅的、有或沒有硫、氮、氧或碳鍵反應(yīng)得到的高分子化合物的涂料組合物;基于此種聚合物衍生物的涂料組合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷鏈區(qū)的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少兩個,但不是所有的硅原子與氧以外的原子連接
C09D183-16 .其中所有的硅原子與氧以外的原子連接





