[發明專利]有機存儲器無效
| 申請號： | 201010134970.2 | 申請日： | 2010-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN101807669A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發明（設計）人： | 施毅;李昀;邱旦峰;曹立強;潘力嘉;濮林 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01L51/05 | 分類號： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 周靜 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 存儲器 | ||
【權利要求書】：
1.一種有機存儲器，包括上、下電極和置于上、下電極之間的功能層，其特征在于所述功能層包括相互隔離的上、下有機半導體層和上、下有機半導體層中間的烷基三氯硅烷自組裝分子層，所述烷基三氯硅烷自組裝分子層與上、下有機半導體層相接觸。
2.如權利要求1所述的有機存儲器，其特征在于所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子數為3-12。
3.如權利要求2所述的有機存儲器，其特征在于所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子數為6-12。
4.如權利要求3所述的有機存儲器，其特征在于所述烷基三氯硅烷為辛烷基三氯硅烷。
5.如權利要求1所述的有機存儲器，其特征在于所述烷基三氯硅烷自組裝分子層的生長時間為2-6h。
6.如權利要求1-5中任一項所述的有機存儲器，其特征在于還包括絕緣阻擋層，所述絕緣阻擋層為不連續薄膜，位于烷基三氯硅烷自組裝分子層和上有機半導體層之間，烷基三氯硅烷和上有機半導體層在不連續薄膜的孔隙處接觸。
7.如權利要求6所述的有機存儲器，其特征在于所述絕緣阻擋層為LiF薄膜。
8.如權利要求7所述的有機存儲器，其特征在于所述LiF薄膜厚15nm。
9.如權利要求1-5中任一項所述的有機存儲器，其特征在于所述有機半導體層為紅熒烯薄膜。
10.如權利要求1-5中任一項所述的有機存儲器，其特征在于所述有機存儲器為交叉點結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
