[發明專利]半導體元件的操作方法

在審

• 申請號: 201010134917.2
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN102194871A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 趙元鵬;張耀文;張馨文;林哲仕
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體元件的操作方法，其特征在于其包括以下步驟：

在一半導體元件的一導電性通道的形成期間以及該半導體元件的一非導電性通道的形成期間，提供一固定且非零的基體偏壓至該半導體元件。

2.根據權利要求1所述的半導體元件的操作方法，其特征在于其中提供該固定且非零的基體偏壓的步驟改變該半導體元件的臨界電壓。

3.根據權利要求1所述的半導體元件的操作方法，其特征在于其中提供該固定且非零的基體偏壓的步驟降低該半導體元件的漏電流且改善次臨界電壓擺幅。

4.根據權利要求1所述的半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的半導體元件為一埋入式通道半導體元件或一表面通道半導體元件，且提供該固定且非零的基體偏壓的步驟改變該半導體元件的臨界電壓。

5.根據權利要求4所述的半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的半導體元件為一P型金屬氧化物半導體元件。

6.根據權利要求4所述的半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的半導體元件為一N型金屬氧化物半導體元件。

7.根據權利要求4所述的半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的半導體元件的開啟電流與關閉電流之間的比被改善。

8.一種半導體元件的操作方法，其特征在于其是一種耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其包括以下步驟：

在一第一半導體元件的導電性通道的形成期間以及該第一半導體元件的非導電性通道的形成期間，提供一固定的第一基體偏壓至該第一半導體元件；以及

在一第二半導體元件的導電性通道的形成期間以及該第二半導體元件的非導電性通道的形成期間，提供一固定的第二基體偏壓至該第二半導體元件，且該第一半導體元件不同于該第二半導體元件。

9.根據權利要求8所述的耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其特征在于其中提供該固定的第一基體偏壓至該第一半導體元件，以降低該第一半導體元件的漏電流及改善次臨界電壓擺幅。

10.根據權利要求8所述的耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的第一半導體元件為一埋入式通道元件或一表面通道元件，且提供該固定的第一基體偏壓的步驟改變該第一半導體元件的臨界電壓。

11.根據權利要求10所述的耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的第一半導體元件為一P型金屬氧化物半導體元件。

12.根據權利要求8所述的耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的第二半導體元件為一埋入式通道元件或一表面通道元件，且提供該固定的第二基體偏壓的步驟改變該第二半導體元件的臨界電壓。

13.根據權利要求12所述的耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的第二半導體元件為一N型金屬氧半導體元件。

14.根據權利要求8所述的耦接于源極與漏極之間的互補式半導體元件的操作方法，其特征在于其中所述的第一半導體元件的開啟電流與關閉電流之間的比及該第二半導體元件的開啟電流與關閉電流之間的比被改善。

15.一種半導體元件的操作方法，其特征在于其包括以下步驟：

在該半導體元件的一導電性通道的形成期間，提供一固定且非零的基體偏壓至一埋入式通道元件或一表面通道元件；以及

在該半導體元件的一非導電性通道的形成期間，提供該固定且非零的基體偏壓至該埋入式通道元件或該表面通道元件，其中

提供該固定且非零的基體偏壓的步驟改變該埋入式通道元件或該表面通道元件的臨界電壓。