[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010134798.0
• 申請日: 2010-03-01
• 公開（公告）號: CN102194707A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈更新
• 申請（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 任永武

1.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包含下列步驟：

(a)形成具有一封裝陣列的一基板，其中所述封裝陣列具有多個接墊及一保護(hù)層，這些接墊暴露于所述保護(hù)層之外；

(b)形成一熱固性非導(dǎo)電層覆蓋所述基板；

(c)部份固化所述熱固性非導(dǎo)電層以形成一半固化非導(dǎo)電層；

(d)接合多個芯片至所述基板的所述封裝陣列上，其中各所述芯片具有一有源面、多個焊墊及多個復(fù)合凸塊，這些焊墊形成于所述有源面上，這些復(fù)合凸塊形成于這些焊墊上，使各所述復(fù)合凸塊電性連接各所述接墊；

(e)施壓加熱這些芯片及所述基板，使所述半固化非導(dǎo)電層黏結(jié)這些芯片及所述基板；

(f)預(yù)熱一金屬板上預(yù)先形成的一封膠材；

(g)覆蓋所述封膠材于所述基板上的這些芯片；以及

(h)固化所述封膠材以完全覆蓋所述基板上的這些芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述(c)步驟中的部份固化可使用紫外光照射方式或加熱烘烤方式。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述(e)步驟是更進(jìn)一步固化所述半固化非導(dǎo)電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述(h)步驟是使用加熱方式固化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述(h)步驟是同時固化所述封膠材與所述半固化非導(dǎo)電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成各所述復(fù)合凸塊的步驟還包含：

形成一下金屬層于各所述焊墊上；

形成一第一導(dǎo)體層于所述下金屬層上；以及

形成一第二導(dǎo)體層于所述第一導(dǎo)體層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述第二導(dǎo)體層的步驟后還包含：

形成一覆蓋導(dǎo)體層，覆蓋所述第二導(dǎo)體層、所述第一導(dǎo)體層以及所述下金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述覆蓋導(dǎo)體層的步驟是以金形成所述覆蓋導(dǎo)體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述第一導(dǎo)體層的步驟后還包含：

形成一阻障層于所述第一導(dǎo)體層及所述第二導(dǎo)體層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述阻障層的步驟是以鎳形成所述阻障層。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述第二導(dǎo)體層的步驟是以選自由下列材料所組成的一群組：金、銅、銀、錫、鋅、銦及其組合形成所述第二導(dǎo)體層。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述第一導(dǎo)體層的步驟是以選自由下列材料所組成的一群組：銅、鎳、鋁、鋅及其組合形成所述第一導(dǎo)體層。