[發(fā)明專利]垂直結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010134445.0
• 申請(qǐng)日: 2005-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101901858A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉明哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沃提科爾公司
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L29/737;H01L29/778;H01S5/02;H01S5/183;H01S5/343
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：

第一緩沖層，包括GaN和AlN中的至少一個(gè)；

第二緩沖層，包括AlGaN；

包括n-GaN的層；

包括AlInGaN的層；以及

包括p-GaN的層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

包括p-AlGaN的層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

包括銅和銅合金中至少一種的金屬層；以及

包括金的金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

晶片載體，連接至所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

晶片載體，連接至所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

包括n-ITO的層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

多個(gè)接觸部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

多個(gè)溝槽，設(shè)置在獨(dú)立的半導(dǎo)體器件之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

鈍化層，位于所述器件的露出部分上方。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括在包括p-GaN的所述層上方的電接觸層結(jié)構(gòu)，所述電接觸層結(jié)構(gòu)包括p型ITO層。