[發(fā)明專利]MEMS麥克風(fēng)芯片及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010134334.X | 申請日： | 2010-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102209287A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡孟錦 | 申請（專利權(quán)）人： | 歌爾聲學(xué)股份有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 陳英俊 |
| 地址： | 261031 山東省濰*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 麥克風(fēng) 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種MEMS麥克風(fēng)芯片，包括基底(1)以及設(shè)置在基底上的平行板電容器，其特征在于，所述MEMS麥克風(fēng)芯片還包括：
保護(hù)裝置(5)，設(shè)置在所述平行板電容器外部。
2.按照權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)芯片，其特征在于，
所述平行板電容器包括固定極板(2)、振動膜(4)和設(shè)置在所述固定極板和振動膜之間的隔離層(3)；
所述固定極板(2)和振動膜(4)上分別設(shè)置有將所述平行板電容器的兩個電極引出的金屬連接點(diǎn)。
3.按照權(quán)利要求2所述的MEMS麥克風(fēng)芯片，其特征在于，
所述保護(hù)裝置(5)安裝在所述振動膜(4)上，并且所述固定極板以及振動膜上的金屬連接點(diǎn)均設(shè)置在所述保護(hù)裝置外部。
4.按照權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)芯片，其特征在于，
所述保護(hù)裝置(5)為金屬帽。
5.按照權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)芯片，其特征在于，
所述保護(hù)裝置(5)包括一環(huán)形支撐圈(52)和固定在所述環(huán)形支撐圈(52)外部的平板(53)。
6.按照權(quán)利要求4或5所述的MEMS麥克風(fēng)芯片，其特征在于，
所述保護(hù)裝置(5)上設(shè)置有聲孔(51)。
7.按照權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的MEMS麥克風(fēng)芯片，其特征在于，
所述基底的厚度范圍為50-200微米。
8.一種MEMS麥克風(fēng)芯片的制造方法，其特征在于，
S1：對晶圓進(jìn)行蝕刻，在基板材料層上制作出帶有平行板電容器的MEMS麥克風(fēng)芯片單元；
S2：將保護(hù)裝置固定在所述平行板電容器外部。
9.按照權(quán)利要求8所述的MEMS麥克風(fēng)芯片的制造方法，其特征在于，
在步驟S1中，進(jìn)一步包括：
制作帶孔的固定極板、隔離層以及振動膜的步驟；
分別在固定極板以及振動膜上設(shè)置金屬連接點(diǎn)的步驟。
10.按照權(quán)利要求8或9所述的MEMS麥克風(fēng)芯片的制造方法，其特征在于，在步驟S2之后，還包括：
S3：研磨基板材料層使其變薄，作為MEMS麥克風(fēng)芯片的基底。
11.按照權(quán)利要求10所述的MEMS麥克風(fēng)芯片的制造方法，其特征在于，在步驟S3之后，還包括：
S4：通過蝕刻工藝在基底上設(shè)置貫通穿孔；
S5：對完成上述S1～S4步驟的晶圓進(jìn)行切割，分離MEMs麥克風(fēng)芯片單元。
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