[發明專利]熱電分離的金屬載芯片板無效
| 申請號： | 201010133731.5 | 申請日： | 2010-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN102194790A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 王湘華 | 申請（專利權）人： | 王湘華 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/34;H01L21/48;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人： | 孫皓晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱電 分離 金屬 芯片 | ||
1.一種熱電分離的金屬載芯片板結構，至少包含有：
一散熱基板，在其一側平面設有較凹下的承載區以及相對凸出的銜接部；
一介電層，是在所述的散熱基板上以轉化被覆(Conversion?Coating)方式所形成的化合物，并覆設在散熱基板的承載區，且所述的介電層在散熱基板的銜接部的位置形成了窗口狀的導熱區，且所述的導熱區與散熱基板的銜接部相對應設置；
一電性導通層，設在介電層上。
2.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的散熱基板為鋁材基板。
3.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的導熱區為復數個。
4.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的導熱區為長條形。
5.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的導熱區為方形。
6.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：在所述的散熱基板的銜接部上涂設有半導體導熱膠。
7.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的導熱區位置設置有芯片。
8.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的銜接部上覆設有濺鍍層。
9.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的介電層與電性導通層間設有濺鍍層。
10.根據權利要求1所述的熱電分離的金屬載芯片板結構，其特征在于：所述的散熱基板的導熱區是幾何形狀。
11.一種熱電分離的金屬載芯片板制造方法，其特征在于，其步驟有：
(1)制作一金屬散熱基板，并在所述的散熱基板的一部分位置涂上遮蔽層；
(2)將散熱基板上無遮蔽層的部分，以轉化被覆(Conversion?Coating)方式形成一定深度的介電層，并使所述的介電層在散熱基板上圍成有至少一個導熱區，用來放置芯片；而散熱基板相對于導熱區形成有銜接部；
(3)去掉遮蔽層，并整平散熱基板的表面；
(4)在散熱基板的銜接部上，涂設半導體導熱膠，并在所述的介電層上布設電性導通層；
(5)銜接部的半導體導熱膠上方設置芯片，并與電性導通層作導線跨距聯接，使導熱和導電能因經由不同路徑導體分離。
12.根據權利要求11所述的熱電分離的金屬載芯片板制造方法，其特征在于：所述的介電層為陽極氧化鋁(即AAO)。
13.根據權利要求11所述的熱電分離的金屬載芯片板制造方法，其特征在于：第(3)步驟的整平散熱基板的表面之后，插入有涂設濺鍍層的程序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于王湘華，未經王湘華許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010133731.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：菱鎂隔離柵材料、菱鎂隔離柵立柱及其生產方法
- 下一篇：一種玻化彩砂的制備工藝
