[發明專利]一種半導體存儲器、半導體存儲器系統及其對應編程方法無效
| 申請號: | 201010133573.3 | 申請日: | 2010-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101783165A | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發明(設計)人: | 楊光軍 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/22 | 分類號: | G11C7/22 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 存儲器 系統 及其 對應 編程 方法 | ||
1.一種存儲用戶數據的半導體存儲器,具有存儲陣列,其特征在于,所述存儲器還具有與所述存儲陣列相連的位反轉裝置,所述位反轉裝置用于將所述用戶數據進行位反轉處理后輸出到所述存儲陣列。
2.如權利要求1所述的存儲器,其特征在于,所述位反轉裝置具有判斷單元和反轉單元。
3.如權利要求2所述的存儲器,其特征在于,所述判斷單元用于判斷所述用戶數據是否需要反轉,并輸出判斷結果的反轉標記。
4.如權利要求3所述的存儲器,其特征在于,所述反轉單元連接于所述判斷單元,用于依據所述反轉標記將所述用戶數據進行位反轉處理后輸出到所述存儲陣列。
5.如權利要求4所述的存儲器,其特征在于,
當所述反轉標記為高電平時,所述反轉單元將所述用戶數據進行位反轉后輸出到所述存儲陣列;
當所述反轉標記為低電平時,所述反轉單元直接將所述用戶數據輸出到所述存儲陣列。
6.如權利要求5所述的存儲器,其特征在于,
當所述用戶數據中“0”位元的個數比“1”位元個數多時,所述判斷單元輸出高電平的反轉標記;
當所述用戶用戶數據中“0”位元的個數少于或等于“1”位元個數時,所述判斷單元輸出低電平的反轉標記。
7.如權利要求1至6中任一項權利要求所述的存儲器,其特征在于,所述位反轉裝置對所述用戶數據進行位反轉處理后輸出位反轉數據到存儲陣列中存儲,所述存儲器還具有讀取反轉單元,所述讀取反轉單元用于將存儲陣列中存儲的所述位反轉數據進行位反轉處理后輸出存儲器。
8.如權利要求3至6中任一項權利要求所述的存儲器,其特征在于,所述判斷單元具有電流比較器,所述電流比較器具有兩電流輸入端,所述電流比較器對所述兩電流輸入端輸入的電流進行比較,輸出判斷結果的反轉標記。
9.一種存儲用戶數據的半導體存儲器的編程方法,所述存儲器具有存儲陣列,其特征在于,所述存儲器具有與所述存儲陣列相連的位反轉裝置,所述編程方法包含步驟:利用所述位反轉裝置將所述用戶數據進行位反轉處理后輸出到所述存儲陣列。
10.如權利要求9所述的編程方法,其特征在于,將所述用戶數據進行位反轉處理具體包含步驟:
判斷所述用戶數據是否需要反轉,并輸出判斷結果的反轉標記;
依據所述反轉標記,對所述用戶數據進行位反轉或直接輸出所述用戶數據。
11.如權利要求10所述的編程方法,其特征在于,
當用戶數據中“0”位元的個數比“1”位元個數多時,所述反轉標記為高電平“1”;
當用戶數據中“0”位元的個數少于或等于“1”位元個數時,所述反轉標記為低電平“0”。
12.一種半導體存儲器系統,包含控制器及與所述控制器相連接的存儲器,所述存儲器具有存儲陣列,其特征在于,所述存儲器還具有與存儲陣列相連的位反轉裝置,所述位反轉裝置用于將所述用戶數據進行位反轉處理后輸出到所述存儲陣列。
13.如權利要求12所述的存儲器系統,其特征在于,所述位反轉裝置具有判斷單元和反轉單元,其中,
所述判斷單元用于判斷所述用戶數據是否需要反轉,并輸出判斷結果的反轉標記;
所述反轉單元連接于所述判斷單元,用于依據所述反轉標記將所述用戶數據進行位反轉處理后輸出到所述存儲陣列。
14.如權利要求13所述的存儲器系統,其特征在于,
當用戶數據中“0”位元的個數比“1”位元個數多時,所述反轉標記為高電平“1”;
當用戶數據中“0”位元的個數少于或等于“1”位元個數時,所述反轉標記為低電平“0”。
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