[發明專利]一種用于太陽電池制造的硅片快速熱處理磷擴散吸雜工藝有效
| 申請號： | 201010133475.X | 申請日： | 2010-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN101834224A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 余學功;李曉強;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 太陽電池 制造 硅片 快速 熱處理 擴散 雜工 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于太陽電池制造的硅片快速熱處理磷擴散吸雜工藝，包括以下步驟：
將磷源涂布在硅片表面，在保護氣氛圍下，以50～200℃/s的速率將硅片升溫至800～1050℃，保溫1～10min，接著降溫至600～800℃，保溫1～10min，冷卻后去除磷硅玻璃層。
2.根據權利要求1所述的磷吸雜工藝，其特征在于：所述的保護氣為氬氣、氮氣、氧氣或空氣。
3.根據權利要求1所述的磷吸雜工藝，其特征在于：所述的降溫速率為50～10℃/s。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
