[發(fā)明專利]硅微納米結(jié)構(gòu)光伏太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010132772.2
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN102201465A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭奎慶
• 申請（專利權(quán)）人: 北京師范大學
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.硅微納米結(jié)構(gòu)陣列光伏太陽電池，它含有透明氧化物導電層、n型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層、p型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層、p型硅基底層、鋁金屬膜背電極層，其特征在于：所述太陽能轉(zhuǎn)換裝置含有依次相疊的下述各層，

(1)透明氧化物導電薄膜層位于n型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層之上，作為正面引出電極；

(2)n型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層位于p型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層之上，其作用是與p型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層形成三維p-n結(jié)，產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)；

(3)p型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層位于P型硅基底層之上，其作用是與n型硅微納米結(jié)構(gòu)陣列層形成三維p-n結(jié)，產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)，同時作為太陽電池的基區(qū)；

(4)P型硅基底層，位于鋁金屬膜背電極之上，其作用是作為太陽能電池的基區(qū)；

(5)鋁金屬膜背電極，其作用是作為背面引出電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅微納米結(jié)構(gòu)陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：透明氧化物導電薄膜層(1)和P型硅基底層(4)之間含有硅微納米結(jié)構(gòu)三維p-n結(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅微納米結(jié)構(gòu)陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：所述步驟(2)的p型硅微納米結(jié)構(gòu)可以是硅微米線，硅納米線，硅微米洞，硅納米洞等陣列結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅微納米結(jié)構(gòu)陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：所述步驟(2)的n型硅微納米結(jié)構(gòu)層可以通過熱擴散技術(shù)在p型硅微納米結(jié)構(gòu)表面擴散形成n型硅層得到。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅微納米結(jié)構(gòu)陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：所述步驟(2)的n型硅微納米結(jié)構(gòu)層可以通過化學氣相沉積等技術(shù)在p型硅微納米結(jié)構(gòu)表面沉積n型硅層得到。?