[發明專利]硅微納米結構光伏太陽能電池無效
| 申請號： | 201010132772.2 | 申請日： | 2010-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN102201465A | 公開（公告）日： | 2011-09-28 |
| 發明（設計）人： | 彭奎慶 | 申請（專利權）人： | 北京師范大學 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100875*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 結構 太陽能電池 | ||
1.硅微納米結構陣列光伏太陽電池，它含有透明氧化物導電層、n型硅微納米結構陣列層、p型硅微納米結構陣列層、p型硅基底層、鋁金屬膜背電極層，其特征在于：所述太陽能轉換裝置含有依次相疊的下述各層，
(1)透明氧化物導電薄膜層位于n型硅微納米結構陣列層之上，作為正面引出電極；
(2)n型硅微納米結構陣列層位于p型硅微納米結構陣列層之上，其作用是與p型硅微納米結構陣列層形成三維p-n結，產生光生伏特效應；
(3)p型硅微納米結構陣列層位于P型硅基底層之上，其作用是與n型硅微納米結構陣列層形成三維p-n結，產生光生伏特效應，同時作為太陽電池的基區；
(4)P型硅基底層，位于鋁金屬膜背電極之上，其作用是作為太陽能電池的基區；
(5)鋁金屬膜背電極，其作用是作為背面引出電極。
2.根據權利要求1所述的硅微納米結構陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：透明氧化物導電薄膜層(1)和P型硅基底層(4)之間含有硅微納米結構三維p-n結。
3.根據權利要求1所述的硅微納米結構陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：所述步驟(2)的p型硅微納米結構可以是硅微米線，硅納米線，硅微米洞，硅納米洞等陣列結構。
4.根據權利要求1所述的硅微納米結構陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：所述步驟(2)的n型硅微納米結構層可以通過熱擴散技術在p型硅微納米結構表面擴散形成n型硅層得到。
5.根據權利要求1所述的硅微納米結構陣列光伏太陽電池，其主要特征在于：所述步驟(2)的n型硅微納米結構層可以通過化學氣相沉積等技術在p型硅微納米結構表面沉積n型硅層得到。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京師范大學，未經北京師范大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010132772.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：全溶液法制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池
- 下一篇：一種直讀表
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
