[發明專利]鈦鎳銀多層金屬電力半導體器件電極的制備方法

有效

• 申請號: 201010132444.2
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN101789382A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 項衛光;徐偉
• 申請（專利權）人: 浙江正邦電力電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 永康市聯縉專利事務所(普通合伙) 33208
• 代理人: 柯利進

1.一種鈦鎳銀多層金屬電力半導體器件電極的制備方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

(1)將硅片夾置在電子束蒸發臺中的旋轉工件盤上，將純度均為99.99％以上的鈦、鎳、銀三種材料分別放置在電子束蒸發臺坩堝中的三個穴位中；

(2)關閉電子束蒸發臺工作室門，抽真空至1.0×10^-3Pa，加熱升溫至200℃；

(3)先將坩堝中裝有鈦材料的穴位處于工作位置，打開電子束高壓開關，調整電子束電流至800mA，蒸發10-15分鐘，使硅片的電極面上沉積一層鈦金屬；然后關斷電子束高壓開關，調整坩堝中裝有鎳材料的穴位處于工作位置，打開電子束高壓開關，調整電子束電流至800mA，蒸發30-35分鐘，使所述鈦金屬層上沉積一層鎳金屬；然后關斷電子束電流，調整坩堝中裝有銀材料的穴位處于工作位置，打開電子束高壓開關，調整電子束電流至800mA，蒸發30-35分鐘，使所述鎳金屬層上沉積一層銀金屬；

(4)電子束蒸發臺工作室停止加熱，降溫至100℃時停止抽真空，打開放氣閥，取出沉積上鈦鎳銀多層金屬的硅片；

(5)將上述硅片放進燒結爐中，抽真空至2.0×10^-3Pa，套上爐體，升溫至600℃，恒溫60分鐘；

(6)移開爐體，降溫至200℃時停止抽真空，打開放氣閥，取出硅片，降至常溫，得到鈦鎳銀多層金屬電力半導體器件電極。