[發明專利]背照式圖像傳感器的制造方法有效
| 申請號: | 201010132236.2 | 申請日: | 2010-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN102054715A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發明(設計)人: | 黃冠杰;楊敦年;吳志仁;黃振銘 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/02;H01L23/485;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 梁永 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背照式 圖像傳感器 制造 方法 | ||
1.一種背照式圖像傳感器的制造方法,所述方法包括:
設置具有前側和背側的器件襯底,其中,在所述前側形成多個像素,并在所述前側的上方形成互連結構;
在所述互連結構的上方形成重新分布層(RDL);
將玻璃襯底結合至所述RDL;
從所述背側使所述器件襯底減薄;以及
去除所述玻璃襯底。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括:在制造另一背照式圖像傳感器時,通過重新使用所述玻璃襯底來對其進行循環使用。
3.根據權利要求1所述的方法,其后還包括:
切割所述器件襯底,以形成包括所述背照式圖像傳感器的芯片;以及
將所述RDL連接至用于封裝所述芯片的板,其中,所述RDL層被連至不具有穿透硅通孔(TSV)的所述互連結構。
4.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在所述器件襯底的減薄背側上形成濾色器層;
在所述濾色器層上形成微透鏡層;以及
將另一玻璃襯底結合至所述器件襯底的減薄背側的上方,使得在所述另一玻璃襯底和所述器件襯底之間形成腔,其中,所述濾色器層和所述微透鏡層設置在所述腔內,其中,所述腔填充有空氣和環氧樹脂中的一種。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,結合所述玻璃襯底包括:在所述RDL上涂覆粘合劑涂層,并在第一溫度下結合所述玻璃襯底用于從所述背側減薄并處理所述器件襯底,
以及其中,去除所述玻璃襯底包括:在大于所述第一溫度的第二溫度下脫粘所述玻璃襯底。
6.根據權利要求1所述的方法,還包括:在所述互連結構和所述RDL之間形成鈍化層。
7.一種背照式圖像傳感器的制造方法,包括:
設置具有前側和背側的器件襯底,其中,在所述前側形成多個像素,并在所述前側的上方形成互連結構;
將第一玻璃襯底結合至所述器件襯底的前側;
從所述背側減薄所述器件襯底;以及
將第二玻璃襯底結合至所述器件襯底的減薄背側。
8.根據權利要求7所述的方法,其后還包括:
在所述第一玻璃襯底上形成重新分布層(RDL),其中,所述RDL被連接至不具有穿透硅通孔(TSV)的所述互連結構;
切割所述器件襯底以形成具有所述背照式圖像傳感器的芯片,所述芯片包括所述第一玻璃襯底和所述第二玻璃襯底;
將所述RDL連接至用于封裝所述芯片的板;以及
形成側壁接觸組件以將所述RDL連接至所述互連結構。
9.根據權利要求7所述的方法,在結合所述第二玻璃襯底之前還包括:
在所述器件襯底的減薄背側上形成濾色器層;以及
在所述濾色器層上形成微透鏡層;
其中,結合所述第二玻璃襯底使得在所述第二玻璃襯底和所述器件襯底之間形成腔,其中,所述濾色器層和所述微透鏡層設置在所述腔內,
其中,所述腔填充有空氣和環氧樹脂中的一種。
10.根據權利要求7所述的方法,其中,結合所述第一玻璃襯底和結合所述第二玻璃襯底包括:涂覆用于結合的粘合劑涂層。
11.根據權利要求7所述的方法,還包括:在所述互連結構和所述第一玻璃襯底之間形成鈍化層。
12.一種背照式圖像傳感器,包括:
器件襯底,具有前側和背側;
多個像素,設置在所述器件襯底的所述前側;
互連結構,設置在所述器件襯底的所述前側的上方;
第一玻璃襯底,結合至所述器件襯底的所述前側;以及
第二玻璃襯底,結合至所述器件襯底的所述背側。
13.根據權利要求12所述的圖像傳感器,還包括:
濾色器層,設置在所述器件襯底的所述背側上;以及
微透鏡層,配置在所述濾色器層上;
其中,在所述第二玻璃襯底和所述器件襯底之間形成腔,其中,所述濾色器層和所述微透鏡層設置在所述腔內,
其中,所述腔填充有空氣和環氧樹脂中的一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010132236.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





