[發明專利]一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法

有效

• 申請號: 201010132117.7
• 申請日: 2010-03-24
• 公開（公告）號: CN102200926A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 舒清明;涂美紅;胡洪
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技有限公司
• 主分類號: G06F9/455
• 分類號: G06F9/455;G06F11/36
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

技術領域

本發明涉及芯片技術領域，特別是涉及一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法。

背景技術

在開發、設計和調試存儲器的過程中，需要對存儲器的功能進行仿真驗證。針對存儲器功能的仿真驗證可以采用能夠代替實際存儲器硬件功能的行為模型(即虛擬存儲器)來進行，具體可以通過生成測試代碼(testbench)，使用仿真軟件(如NC_verilog軟件或modelsim軟件)來實現。

對于這種虛擬存儲器功能的仿真驗證，實質上與實際存儲器的仿真驗證并無二致。以對某個虛擬閃存(Flash?Memory)進行讀操作的仿真驗證為例，目前閃存的讀操作方式主要包括：1)Read?data(單通道讀取方式)；2)Fast?read(快速讀取方式)；3)Dual?output?fast?read(雙輸出快速讀取方式)三種，在仿真驗證時，需要預先設置讀操作模式控制位，然后基于相應的讀操作模式控制位預定值的定義：Normal?Mode和DualSPI?Mode，寫入對應讀操作方式的指令代碼，通過執行所述指令代碼進行相應讀操作方式的功能驗證。

即對于三種讀操作方式的全面驗證而言，可以包括如下步驟：

步驟S1、取讀操作模式控制位默認值DSPI_LOCK＝1，DREAD_LOCK＝0，在這種設置下，在Normal?Mode下，采用Dual?outputfast?read讀操作方式對Flash?Memory進行仿真驗證；

步驟S2、將讀操作模式控制位更改為DSPI_LOCK＝1，DREAD_LOCK＝1，在這種設置下，在Normal?Mode下，采用Read?data讀操作方式對Flash?Memory進行仿真驗證；

步驟S3、將讀操作模式控制位更改為DSPI_LOCK＝0，DREAD_LOCK＝1，在這種設置下，在Dual?SPI?Mode下，采用Fast?read讀操作方式對Flash?Memory進行仿真驗證；

在上述讀操作模式控制位更改的過程中，讀操作模式控制位會經歷從0到1的變換，由于閃存具有只能在擦除成功狀態下寫入的特性，因而在上述寫入11(步驟S2)的過程中，必須先擦除在先讀操作模式控制位10才能寫入。除上述示例，無論采用何種驗證讀操作方式的順序，都會涉及將讀操作模式控制位從0到1的更改操作，即每一次全面驗證的過程必須經過至少一次讀操作模式控制位的擦除操作，從而影響存儲器讀操作功能驗證的效率。

因此，目前需要本領域技術人員迫切解決的一個技術問題就是：如何能夠創新地提出一種存儲器讀操作功能的仿真驗證機制，在能夠保證仿真驗證結果的基礎上，減少針對存儲器讀操作功能的仿真驗證時間，提高虛擬存儲器的仿真驗證效率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法，用以在能夠保證仿真驗證結果的基礎上，減少針對存儲器功能的仿真驗證的時間，提高采用虛擬存儲器的仿真驗證效率。

為了解決上述技術問題，本發明實施例公開了一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法，包括：

獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的控制位；

讀取所述讀操作模式控制位的默認值，采用針對該讀操作模式控制位預設的第一讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證，所述默認值為表示存儲單元已擦除狀態的邏輯值；

將所述讀操作模式控制位逐位更改為表示存儲單元編程狀態的邏輯值，并針對每次更改后的讀操作模式控制位，分別采用對應的其它讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。

優選的，所述讀操作模式控制位的默認值11，所述逐位更改讀操作模式控制位的步驟包括：

將所述讀操作模式控制位更改為10或者01，采用針對該讀操作模式控制位預設的第二讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證；

將所述讀操作模式控制位更改為00，采用針對該讀操作模式控制位預設的第三讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。

優選的，所述讀操作模式控制位的默認值11對應于原始讀操作模式控制位10，所述第一讀操作方式為普通模式Normal?mode下的雙輸出快速讀取方式Dual?output?fast?read；

所述讀操作模式控制位10、01分別對應于原始讀操作模式控制位11、00，所述第二讀操作方式為普通模式Normal?mode下的單通道讀取方式Read?data；

所述讀操作模式控制位00對應于原始讀操作模式控制位01，所述第三讀操作方式為雙通道模式Dual?SPI?mode下的快速讀取方式Fast?read。