[發(fā)明專利]一種指數(shù)摻雜的GaAs肖特基變?nèi)荻O管及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010132087.X
• 申請日: 2010-03-24
• 公開（公告）號: CN102201455A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田超;楊浩;董軍榮;黃杰;張海英
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/93
• 分類號: H01L29/93;H01L29/36;H01L21/329
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種指數(shù)摻雜的GaAs肖特基變?nèi)荻O管，其特征在于，包括：

用于支撐整個(gè)GaAs肖特基變?nèi)荻O管的半導(dǎo)體絕緣GaAs襯底；

在半導(dǎo)體絕緣GaAs襯底上外延生長的重?fù)诫s的N⁺層；

在N⁺層上繼續(xù)外延生長的指數(shù)摻雜的N型層；

經(jīng)過挖島，隔離兩個(gè)工藝步驟，在N型層、N⁺層上形成的臺面結(jié)構(gòu)；

在N型層上蒸發(fā)金屬形成的肖特基接觸的上電極；以及

在N⁺層上蒸發(fā)金屬形成的歐姆接觸的下電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs肖特基變?nèi)荻O管，其特征在于，所述在指數(shù)摻雜的N型層上形成的上電極，采用的金屬為Al/Ti/Au。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs肖特基變?nèi)荻O管，其特征在于，所述N型層的指數(shù)摻雜為：

摻雜濃度N＝N₀*exp(-x/d₀)，其中N₀＝2e17，d₀＝225nm，x為與材料上表面的距離；N⁺層的上表面處是高摻雜的，N型層與N⁺層交界處為低摻雜的，從表面到半導(dǎo)體體內(nèi)摻雜濃度滿足這個(gè)指數(shù)分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs肖特基變?nèi)荻O管，其特征在于，所述在N⁺層上形成的下電極，采用的金屬為Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au。

5.一種GaAs肖特基變?nèi)荻O管的制作方法，其特征在于，該方法包括：

A、在半導(dǎo)體絕緣GaAs襯底上外延生長高摻雜的N⁺層；

B、在N+層上生長指數(shù)摻雜的N型層；

C、采用濕法刻蝕減小N型層的面積，形成N型層和N⁺層的臺面結(jié)構(gòu)；

D、在N⁺層和N型層上分別蒸發(fā)金屬，形成歐姆接觸和肖特基接觸；

E、采用濕法刻蝕減小N⁺層的面積，形成N⁺層和絕緣襯底的臺面結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GaAs肖特基變?nèi)荻O管的制作方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括：在整個(gè)二極管器件表面淀積氮化硅，采用干法刻蝕淀積的氮化硅打開引線窗口。