[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝機(jī)臺參數(shù)優(yōu)化調(diào)整的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010131837.1
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN102194655A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王邕保;郭玉潔
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺參數(shù)優(yōu)化調(diào)整的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

根據(jù)半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的各機(jī)臺的參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)確定所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺；

令所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的參數(shù)匹配。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的各機(jī)臺的參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)確定所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺，包括以下步驟：

確定關(guān)鍵工序節(jié)點(diǎn)；

確定關(guān)鍵工序參數(shù)；

收集與所述關(guān)鍵工序參數(shù)有關(guān)的所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的各機(jī)臺的參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，所述統(tǒng)計數(shù)據(jù)包括：樣本個數(shù)、樣本方差、樣本均值；

定義USL和LSL值，所述USL為所述關(guān)鍵工序參數(shù)上限值，所述LSL為所述關(guān)鍵工序參數(shù)下限值；

計算所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的各機(jī)臺的工序能力指數(shù)；

將所述工序能力指數(shù)最大的機(jī)臺定義為所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述工序能力指數(shù)TCI為：

TCI=USL-LSL6STool(1-Target-mUSL+LSL2)]]>

其中，Target為所述機(jī)臺的參數(shù)的目標(biāo)值，m為所述機(jī)臺的參數(shù)的樣本均值，S_Tool為所述機(jī)臺的參數(shù)的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差，

其中，S²_Tool＝S²_{chamber-to-chamber}+S²_{wafer-to-wafer}+S²_within-wafer，

其中，所述S²_{chamber-to-chamber}為所述機(jī)臺的反應(yīng)室的參數(shù)的樣本方差，所述S²_{wafer-to-wafer}為晶圓內(nèi)芯片間的參數(shù)的樣本方差，所述S²_within-wafer為良率的參數(shù)的樣本方差。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述令所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的參數(shù)匹配，包括以下步驟：

檢查所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)是否與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)匹配；

根據(jù)所述檢查結(jié)果調(diào)整進(jìn)行檢查的機(jī)臺的參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述匹配根據(jù)以下步驟判定：

設(shè)定所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)的樣本均值偏移判定標(biāo)準(zhǔn)和樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差偏移判定標(biāo)準(zhǔn)；

將所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差和樣本均值相應(yīng)與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差和樣本均值進(jìn)行比較；

如果所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差的偏移大于所述樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差偏移判定標(biāo)準(zhǔn)，或所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)的樣本均值與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的樣本均值的偏移大于所述樣本均值偏移判定標(biāo)準(zhǔn)，則將所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)判定為不匹配，

如果所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差和樣本均值相應(yīng)與所述參數(shù)最優(yōu)機(jī)臺的樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差和樣本均值的偏移均相應(yīng)小于所述樣本均值偏移判定標(biāo)準(zhǔn)和樣本標(biāo)準(zhǔn)偏差偏移判定標(biāo)準(zhǔn)，則將所述半導(dǎo)體工藝環(huán)境中的機(jī)臺的參數(shù)判定為匹配。