[發明專利]制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201010131831.4
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN102194737A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 韓秋華;符雅麗
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制造半導體器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在前端器件層上的低介電材料層中形成出露所述前端器件層的溝槽，在所述溝槽內以及所述低介電材料層表面形成銅金屬層；

對所述銅金屬層進行化學機械拋光處理，出露所述低介電材料層；

對所述低介電材料層進行表面致密處理；

在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面致密處理選自：O₂等離子體清洗處理、O₃等離子清洗處理、N₂O等離子體清洗處理中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過化學氣相沉積在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述表面致密處理與所述化學氣相沉積的間隔時間控制在2個小時以內。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述O₂等離子體清洗處理包括：

使用軟凝聚態常溫O₂等離子體進行清洗處理。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述O₂等離子體通過高頻放電法產生。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述高頻放電法包括：

通過源功率控制等離子體反應室中的離子濃度，所述等離子體反應室的溫度為15℃至35℃，所述等離子體反應室的壓力為5mt至50mt，所述等離子體反應室中的氧氣的流量為10標準立方厘米/分鐘至100標準立方厘米/分鐘，氦氣的流量為50標準立方厘米/分鐘至500標準立方厘米/分鐘。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述等離子體反應室的溫度為25℃，所述等離子體反應室的壓力為25mt，所述等離子體反應室中的氧氣的流量為55標準立方厘米/分鐘，氦氣的流量為275標準立方厘米/分鐘。