[發(fā)明專利]電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010131793.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102201429A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 季明華;林殷茵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24;H01L21/84;G11C11/56
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，包括：

襯底；

在襯底上依次形成的掩埋氧化層和外延層；

在所述外延層上依次形成的柵極介電層和柵極；

在所述柵極兩側(cè)的所述外延層中形成的源區(qū)和漏區(qū)；

其中所述柵極介電層的材料是鉿氧化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，還包括，分別在所述源區(qū)和漏區(qū)靠近柵極的一側(cè)形成的輕摻雜漏區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述外延層是p型或n型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述源區(qū)或漏區(qū)是n+型或p+型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述柵極介電層的厚度是

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中在形成所述存儲(chǔ)器單元時(shí)施加到所述柵極上的偏置電壓是外部電源電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元“0”和“1”狀態(tài)分別由所述柵極介電層的低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)表示。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述存儲(chǔ)器單元在寫(xiě)操作中，所述柵極的偏置電壓是+0.6V，源/漏極電壓均是-0.6V。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述存儲(chǔ)器單元在讀操作中，所述柵極的偏置電壓是+0.5V，漏極電壓是+1V，源極電壓是0V。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中在形成柵極介電層之后，在柵極介電層中注入吸收氧原子的物質(zhì)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述吸收氧原子的物質(zhì)選自Si、Ti和Hf中的一種或幾種。

12.一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列，其特征在于所述陣列的單元由根據(jù)權(quán)利要求1-11之任一的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元形成，所述電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的漏極和源極分別連接到存儲(chǔ)器陣列的不同位線，且柵極作為字線。

13.一種包含如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。