[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010131740.0 | 申請日: | 2010-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN101814501A | 公開(公告)日: | 2010-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山本祐廣;小山威 | 申請(專利權(quán))人: | 精工電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/088 | 分類號: | H01L27/088;H01L23/528;H01L23/60 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;徐予紅 |
| 地址: | 日本千葉*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,具有多個漏極區(qū)和多個源極區(qū)交互配置, 在所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)之間配置有柵電極,多個晶體管成一體化 的多指型的ESD保護用N型MOS晶體管,其中,
所述漏極區(qū)與外部連接端子電性連接,
經(jīng)由在所述源極區(qū)上配置連接的第一金屬布線和通過具有一定 大小的通孔與所述第一金屬布線連接的第二金屬布線,所述源極區(qū)電 性連接至接地電位供給線,
配置成所述通孔的個數(shù)對應(yīng)于與所述接地電位供給線的距離越 遠(yuǎn)就越多。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第二金屬布線從與所述ESD保護用N型MOS晶體管的溝 道寬度方向成垂直的方向布線,所述第一金屬布線在與所述ESD保 護用N型MOS晶體管的溝道寬度方向成水平的方向配置,所述第二 金屬布線與所述第一金屬布線在所述源極區(qū)上方區(qū)域通過所述通孔 連接。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
離接地電位供給線最遠(yuǎn)的位置上配置的源極區(qū)上的通孔配置個 數(shù)與離接地電位供給線最近的位置上配置的源極區(qū)上的通孔配置個 數(shù)之比不超過3。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第一金屬布線及所述第二金屬布線包含高熔點金屬。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述通孔配置成在所述源極區(qū)上配置并連接的第一金屬布線中, 與所述ESD保護用N型MOS晶體管的溝道寬度方向成水平的方向 上廣泛分布。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述通孔固定配置于在所述源極區(qū)上配置并連接的第一金屬布 線的一部分區(qū)域之上。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
離接地電位供給線最遠(yuǎn)的位置上配置的源極區(qū)上的通孔配置個 數(shù)與離接地電位供給線最近的位置上配置的源極區(qū)上的通孔配置個 數(shù)之比不超過3。
8.一種半導(dǎo)體裝置,具有多個漏極區(qū)和多個源極區(qū)交互配置, 在所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)之間配置有柵電極,多個晶體管成一體化 的多指型的ESD保護用N型MOS晶體管,其中,
各所述漏極區(qū)與外部連接端子電性連接,
經(jīng)由在各所述源極區(qū)上配置連接的第一金屬布線和通過在所述 第一金屬布線上配置的通孔與所述第一金屬布線連接的第二金屬布 線,各所述源極區(qū)電性連接至接地電位供給線,
在各所述源極區(qū)中,使相加所述接地電位供給線上連接的所述第 二金屬布線的布線電阻與所述通孔的連接電阻的各個電阻值相互大 致相等。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述通孔有一定的大小,通過改變所述第一金屬布線上配置的所 述通孔的個數(shù),使所述各個電阻值相互大致相等。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述通孔是有一定寬度的線狀通孔,通過改變所述第一金屬布線 上配置的所述線狀通孔的長度,使所述各個電阻值相互大至相等。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第二金屬布線與所述接地電位供給線的距離越遠(yuǎn),與所述 ESD保護用N型MOS晶體管的寬度平行的方向上布線寬度就越大。
12.一種半導(dǎo)體裝置,具有多個漏極區(qū)和多個源極區(qū)交互配置, 在所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)之間配置有柵電極,多個晶體管成一體化 的多指型的ESD保護用N型MOS晶體管,其中,
所述漏極區(qū)與外部連接端子電性連接,
經(jīng)由在所述源極區(qū)上配置連接的第一金屬布線和通過具有一定 寬度的線狀通孔連接到所述第一金屬布線的第二金屬布線,所述源極 區(qū)與接地電位供給線電性連接,
配置成所述線狀通孔的長度對應(yīng)于與所述接地電位供給線的距 離越遠(yuǎn)就越長。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





