[發明專利]一種具有高峰值電流密度隧穿結的多結太陽電池有效

申請號：	201010131540.5	申請日：	2010-03-19
公開（公告）號：	CN101814543A	公開（公告）日：	2010-08-25
發明（設計）人：	林桂江;王良均;丁杰;吳志強	申請（專利權）人：	廈門市三安光電科技有限公司
主分類號：	H01L31/052	分類號：	H01L31/052;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司：	廈門原創專利事務所 35101	代理人：	徐東峰
地址：	361009 福建省廈***	國省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種具有峰值電流密度隧穿結太陽電池
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【權利要求書】：

1.一種具有高峰值電流密度隧穿結的多結太陽電池，含有GaInP/GaInAs/Ge三結太陽電池，其特征是：連接Ge底電池、GaInAs中電池和GaInP頂電池的隧穿結共有五層，第一層是n型(Al_xGa_1-x)InP或AlGaAs防擴散薄膜，第二層是使用Si、Te共摻的GaAs薄膜，第三層是使用Te摻雜的GaAs薄膜，第四層是使用C摻雜的AlGaAs薄膜，第五層是p型(Al_xGa_1-x)InP或AlGaAs防擴散薄膜。

2.如權利要求1所述的一種具有高峰值電流密度隧穿結的多結太陽電池，其特征在于：所述Si、Te共摻的GaAs薄膜的厚度為1～5nm。

3.如權利要求1所述的一種具有高峰值電流密度隧穿結的多結太陽電池，其特征在于：所述使用Te摻雜的GaAs薄膜的厚度為15～25nm。

4.如權利要求1所述的一種具有高峰值電流密度隧穿結的多結太陽電池，其特征在于：所述使用C摻雜的AlGaAs薄膜的厚度為15～30nm。

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