[發明專利]三氯氫硅合成爐的冷卻方法及裝置

無效

• 申請號: 201010131500.0
• 申請日: 2010-03-25
• 公開（公告）號: CN101786631A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 任玉芬
• 申請（專利權）人: 任玉芬
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 唐山順誠專利事務所 13106
• 代理人: 于文順

1.一種三氯氫硅合成爐的冷卻方法，其特征在于包含如下步驟：采用熱管間接傳熱，熱管的吸熱端置于合成爐的反應區內，熱管的放熱端置于反應區外的液體介質中，反應區的熱量通過熱管導出，然后再通過液體介質散熱，液體介質與反應區完全隔開。

2.根據權利要求1所述之三氯氫硅合成爐的冷卻方法，其特征在于更具體的實施方式：一組熱管的吸熱端設置在反應區內、離底部1-3米的位置，熱管的放熱端設置在蒸發室內，蒸發室內通入液體介質，熱管的放熱端和吸熱端之間用管板完全隔開。

3.根據權利要求2所述之三氯氫硅合成爐的冷卻方法，其特征是對于管板上根據熱管的數量設置若干個均勻布置的孔，熱管穿過管板上的孔進行設置，管板將熱管的放熱端和吸熱端之間徹底隔開。

4.根據權利要求1或2所述之三氯氫硅合成爐的冷卻方法，其特征是所說的液體介質是水或油，蒸發室設置在合成爐的頂部。

5.根據權利要求2所述之三氯氫硅合成爐的冷卻方法，其特征是用水作液體介質，蒸發室為密閉容器，并設有蒸汽出口，同時產生帶壓蒸汽。

6.一種三氯氫硅合成爐的冷卻裝置，其特征是包含熱管（2）、蒸發室（6），熱管的吸熱端（3）置于合成爐的反應區內，熱管的放熱端（4）設置在蒸發室內，蒸發室內通入液體介質，熱管的放熱端和吸熱端之間隔開。

7.根據權利要求6所述之三氯氫硅合成爐的冷卻裝置，其特征是熱管的數量根據合成爐的參數設定，若干熱管在合成爐反應區的截面上均勻布置，每根熱管之間的距離均等。

8.根據權利要求7所述之三氯氫硅合成爐的冷卻裝置，其特征是設有管板，管板上根據熱管的數量設置若干個均勻布置的孔，熱管穿過管板上的孔進行設置，管板將熱管的放熱端和吸熱端之間徹底隔開。

9.根據權利要求7所述之三氯氫硅合成爐的冷卻裝置，其特征是熱管的吸熱端設置在反應區內、離底部1-3米的位置；蒸發室設置在合成爐的頂部。

10.根據權利要求7所述之三氯氫硅合成爐的冷卻裝置，其特征是用水作液體介質，蒸發室為密閉容器，并設有水進口和蒸汽出口，同時產生帶壓蒸汽。