[發(fā)明專利]雙反射面微波天線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010131205.5 | 申請(qǐng)日： | 2010-03-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101895016A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王天祥;肖凌文;郭智力;姜偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01Q19/18 | 分類號(hào)： | H01Q19/18;H01Q19/19;H01Q15/14;H01Q15/18 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反射 微波 天線 | ||
1.一種雙反射面微波天線，包括主反射面和副反射面，與主反射面連接的饋源管，饋源管在主反射面內(nèi)側(cè)的一端上連接有饋源，其特征在于，還包括：
介質(zhì)支撐，一端與所述饋源相連，另一端與所述副反射面相連，所述介質(zhì)支撐包括階梯形賦形曲面，對(duì)經(jīng)由所述饋源發(fā)出的信號(hào)或經(jīng)由所述主反射面反射的信號(hào)進(jìn)行多次反射。
2.如權(quán)利要求1所述的雙反射面微波天線，其特征在于，還包括：
縱向扼流槽，與所述副反射面相連，所述扼流槽排列方向與饋源管中心軸方向平行。
3.如權(quán)利要求1或2所述的雙反射面微波天線，其特征在于，還包括：
空氣槽，設(shè)置在所述介質(zhì)支撐中，對(duì)經(jīng)由所述副反射面反射的信號(hào)進(jìn)行多次反射。
4.如權(quán)利要求1所述的雙反射面微波天線，其特征在于，在所述饋源管中心軸方向上，所述階梯形賦形曲面兩側(cè)對(duì)稱。
5.如權(quán)利要求1或4所述的雙反射面微波天線，其特征在于，在所述饋源管中心軸方向上，所述階梯形賦形曲面中的每個(gè)階梯的高度為在所述介質(zhì)支撐中傳播的信號(hào)波長(zhǎng)的四分之一。
6.如權(quán)利要求3所述的雙反射面微波天線，其特征在于，所述空氣槽位于所述介質(zhì)支撐與所述饋源連接的一端的端口處。
7.如權(quán)利要求3所述的雙反射面微波天線，其特征在于，在與所述饋源管中心軸方向垂直的方向上，所述空氣槽的深度為在所述介質(zhì)支撐中傳播的信號(hào)波長(zhǎng)的0.1-0.4倍。
8.一種雙反射面微波天線，包括主反射面和副反射面，與主反射面連接的饋源管，饋源管在主反射面內(nèi)側(cè)的一端上連接有饋源，一端與所述饋源相連、另一端與所述副反射面相連的介質(zhì)支撐，其特征在于，還包括：
縱向扼流槽，與所述副反射面相連，所述扼流槽排列方向與饋源管中心軸方向平行。
9.如權(quán)利要求8所述的雙反射面微波天線，其特征在于，還包括：
空氣槽，設(shè)置在所述介質(zhì)支撐中，對(duì)經(jīng)由所述副反射面反射的信號(hào)進(jìn)行多次反射。
10.如權(quán)利要求9所述的反射面微波天線，其特征在于，所述空氣槽位于所述介質(zhì)支撐與所述饋源連接的端口處。
11.如權(quán)利要求9或10所述的雙反射面微波天線，其特征在于，在與所述饋源管中心軸方向垂直的方向上，所述空氣槽的深度為在所述介質(zhì)支撐中傳播的信號(hào)波長(zhǎng)的0.1-0.4倍。
12.一種雙反射面微波天線，包括主反射面和副反射面，與主反射面連接的饋源管，饋源管在主反射面內(nèi)側(cè)的一端上連接有饋源，一端與所述饋源相連、另一端與所述副反射面相連的介質(zhì)支撐，其特征在于，還包括：
空氣槽，設(shè)置在所述介質(zhì)支撐中，對(duì)經(jīng)由所述副反射面反射的信號(hào)進(jìn)行多次反射。
13.如權(quán)利要求12所述的雙反射面微波天線，其特征在于，所述空氣槽位于所述介質(zhì)支撐與所述饋源連接的端口處。
14.如權(quán)利要求12或13所述的雙反射面微波天線，其特征在于，在與所述饋源管中心軸方向垂直的方向上，所述空氣槽的深度為在所述介質(zhì)支撐中傳播的信號(hào)波長(zhǎng)的0.1-0.4倍。
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