[發明專利]二咔唑-9-基-取代的三芳基胺

無效

• 申請號: 201010130209.1
• 申請日: 2006-02-23
• 公開（公告）號: CN101851190A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 余旺林;吳衛希;詹姆斯·J·奧布賴恩
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: C07D209/88
• 分類號: C07D209/88
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 陳平

本申請是2006年2月23日提交的專利申請200680007055.9(國際申請號為：PCT/US2006/006215)的分案申請。

本申請要求2005年3月4日提交的臨時申請，即美國申請60/658,919的優先權，該臨時申請通過引用結合在此。

技術領域

本發明涉及二咔唑-9-基-取代的三芳基胺化合物，包含二咔唑-9-基-取代的三芳基胺部分的聚合物組合物以及包含這些組合物的電子器件。

背景技術

已知芴基共軛聚合物具有令人感興趣的光電性質。有幾份報導證實了來自芴均聚物的藍光發射，例如A.W.Grice；D.D.C.Bradley，M.T.Bernius；M.Inbasekaran，W.Wu，E.P.Woo；Appl.Phys.Lett.1998，73以及Y.Young和Q.Pei；J.Appl.Phys.81，3294(1997)。通過將不同的芳族官能團結合到聚合物鏈中，芴-基共軛聚合物顯示出發射光譜跨越整個可見光范圍(400-700nm)的不同的發光顏色(M.T.Bemius，M.Inbasekaran，J.O′Brien，W.Wu，Adv.Mater.2000，12，1737)。高效和穩定的電致發光要求將空穴和電子分別從陽極和陰極有效率地注入到發光聚合物層中。由于在芴均聚物的最高占據分子軌道(HOMO)和陽極(ITO)的功函之間的能量失配，芴均聚物的空穴注入效率差。US?6,309,763、US?6,353,083和US?5,879,821教導將三芳基胺作為空穴傳輸部分結合到芴-基聚合物中以提高芴-基聚合物的電致發光性能。US?2004127666進一步發現與含有其它的電荷傳輸基團如US6,353,083中所述的無環三芳基胺的聚芴相比，在芴-基光電聚合物的主鏈中包含三環芳基胺提供在低電壓下進一步提高的電導率以及更高的器件效率。

發現新的芳族胺單體以研制具有提高的效率和壽命并且發射各種顏色的光的光電材料和器件的需要仍然存在。其中特別令人感興趣的是需要發現新的芳族胺，所述芳族胺適于結合到芴-基聚合物中以提供例如更深的藍光發射以及良好的空穴注入和空穴傳輸性能。還存在的挑戰是設計具有寬的HOMO-LUMO帶隙(＞2.9eV)的芳族胺以能夠發射深藍光，同時保持HOMO能級淺(接近-5.0eV)以便于發光器件中來自陽極的空穴注入。

發明內容

本發明涉及新的二咔唑-9-基取代的三芳基胺單體和光電聚合物，所述光電聚合物在聚合物主鏈中包含二咔唑-9-基取代的三芳基胺部分以實現深藍光的發射以及良好的空穴注入和空穴傳輸性能。

更具體而言，本發明的一個實施方案是在骨架中包含式I的結構單元的共軛或部分共軛聚合物：

其中T是可以被取代或未被取代的芳基或雜芳基、或C1-C24烷基；R₁是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F；并且a和b獨立選自1、2或3。

在另一個方面中，本發明是含式I的聚合物的膜。在另一個實施方案中，本發明是含式I的聚合物與至少一種另外的聚合物的共混物。在另一個實施方案中，本發明是包含膜的電致發光器件，所述膜包含含式I的聚合物。在另一個實施方案中，本發明是一種光電池，所述光電池包含第一電極、包含含式I的聚合物的膜和第二電極。

在另一個方面中，本發明是一種場效應晶體管，所述場效應晶體管包含：(a)絕緣體層，所述絕緣體層是電絕緣體，所述絕緣體層具有第一側面和第二側面；(b)柵極，所述柵極是電導體，所述柵極與所述絕緣體層的第一側面相鄰安置；(c)半導體層，所述半導體層包含含式I的聚合物和第二電極；(d)源極，所述源極是電導體，所述源極與所述半導體層的第一端電接觸；和(e)漏極，所述漏極是電導體，所述漏極與所述半導體層的第二端電接觸。

在另一個實施方案中，本發明是式IV的成分：

其中T是被取代或未被取代的芳基或雜芳基、或C1-C24烷基；R₁是烷基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F；a和b獨立選自1、2或3；并且X是離去基團，如鹵素、硼酸或硼酸酯。

附圖說明

圖1顯示了聚合物1的循環伏安圖。

圖2顯示了聚合物1的紫外可見吸收光譜。

圖3顯示了聚合物2和聚合物5的電流密度曲線。

圖4顯示了具有和不具有聚合物1夾層的器件的亮度效率。

圖5顯示了具有和不具有聚合物1夾層的器件的加速壽命。

具體實施方式