[發(fā)明專利]一種多芯片封裝及制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010129931.3 | 申請日: | 2010-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN101887886A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣航;楊先慶;邢正人;任遠程 | 申請(專利權(quán))人: | 成都芯源系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/367;H01L23/495;H01L21/50 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人: | 詹永斌;徐宏 |
| 地址: | 611731 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 制造 方法 | ||
1.一種多芯片封裝體,包含至少兩個芯片、至少兩個芯片貼裝盤和封裝材料,其中所述芯片貼裝于所述芯片貼裝盤上,所述芯片和所述芯片貼裝盤被封裝材料包封,并使部分所述芯片貼裝盤的背面暴露于所述封裝材料表面。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝體,其特征在于:
所述至少兩個芯片包含至少一個功率芯片和至少一個普通芯片,所述功率芯片比所述普通芯片消耗更多的能量;
所述芯片貼裝盤包含至少一個功率芯片貼裝盤用于貼裝所述功率芯片,以及至少一個普通芯片貼裝盤用于貼裝所述普通芯片,其中所述功率芯片貼裝盤的背面暴露于所述封裝材料表面形成散熱面。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝體,其特征在于,所述功率芯片包含開關(guān)器件。
4.如權(quán)利要求2所述的封裝體,其特征在于,所述普通芯片包含控制器件,控制所述功率芯片的運行。
5.如權(quán)利要求2所述的封裝體,其特征在于,所述普通芯片貼裝盤位于封裝體中心平面附近。
6.如權(quán)利要求2所述的封裝體,其特征在于包括引線框架,所述引線框架包括所述功率芯片貼裝盤、所述普通芯片貼裝盤、引腳和連接結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝體,其特征在于,所述引線框架包括:
基體部分,包含所述普通芯片貼裝盤和所述引腳;?
暴露部分,包含所述功率芯片貼裝盤,其中所述功率芯片貼裝盤的一表面暴露于所述封裝材料表面;
傾斜部分,連接所述基體部分和暴露部分;
其中所述基體部分平面和所述暴露部分平面相互平行且距離大于零。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝體,其特征在于,所述引線框架材料為銅。
9.如權(quán)利要求6所述的封裝體,其特征在于,所述功率芯片上的一部分焊盤和所述普通芯片上的一部分焊盤通過引線耦接,所述功率芯片和所述普通芯片上的另一部分焊盤和所述引線框架通過引線耦接。
10.如權(quán)利要求6所述的封裝體,其特征在于,所述功率芯片和所述普通芯片上的焊盤和所述引線框架通過引線耦接。
11.如權(quán)利要求6所述的封裝體,其特征在于,所述引腳包括露出于封裝體材料外的外露引腳,該外露引腳伸展方向和所述散熱面朝向相反。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝體,其特征在于,所述散熱面和散熱器接觸。
13.如權(quán)利要求12所述的封裝體,其特征在于,所述散熱面和所述散熱器之間有導(dǎo)熱膜。
14.如權(quán)利要求6所述的封裝體,其特征在于,所述引腳包括露出封裝材料外的外露引腳,該外露引腳的伸展方向和所述散熱面朝向相同。
15.如權(quán)利要求14所述的封裝體,其特征在于,所述散熱面和固定封裝體的印刷電路板的一個表面接觸。
16.如權(quán)利要求15所述的封裝體,其特征在于,所述散熱面和所述印刷電路板的一個表面之間有導(dǎo)熱膜。
17.如權(quán)利要求11或14所述的封裝體,其特征在于,所述封裝體為直插式、針腳式、表面貼裝式或球柵陣列式。
18.一種引線框架,包括:
基體部分;
暴露部分,一表面暴露于封裝材料表面;
其中所述基體部分平面和所述暴露部分平面相互平行且距離大于零。
19.如權(quán)利要求18所述的引線框架,其特征在于,所述暴露部分包括至少一個芯片貼裝盤,所述芯片貼裝盤一面貼裝芯片并位于所述封裝材料內(nèi),另一面暴露于所述封裝材料表面;所述基體部分包括至少一個芯片貼裝盤,被所述封裝材料包封。
20.一種多芯片封裝制造方法,包括:
制造含至少兩個芯片貼裝盤的引線框架,其中所述至少兩個芯片貼裝盤處于相互平行的不同水平面上;
將芯片貼裝到所述芯片貼裝盤;
制作互連;
將所述引線框架、所述芯片和所述互連用封裝材料包封,其中部分芯片貼裝盤背面和所述引線框架的外露引腳暴露于所述封裝材料表面;
將外露引腳切筋成形。
21.如權(quán)利要求20所述的制造方法,其中所述引線框架采用壓模成型技術(shù)使所述芯片貼裝盤處于相互平行的不同水平面上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





