[發明專利]非易失性存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201010129614.1
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN101853701A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 樸晸壎
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 錢大勇

本發明申請要求在2009年3月4日提交的韓國專利申請No.10-2009-0018568的優先權，其全部內容通過引用而合并于此。

技術領域

本發明涉及非易失性存儲器件，更具體地，本發明涉及被配置為使數據隨機化并且存儲隨機化數據的非易失性存儲器件。

背景技術

非易失性存儲器件可以包括快閃存儲器件、阻抗可變存儲器件等。一般來說，快閃存儲器件包括NAND快閃存儲器件和NOR快閃存儲器件。NOR快閃存儲器件的結構是存儲單元與每條位線并聯連接。這意味著可以單獨地訪問NOR快閃存儲器件中的存儲單元。NAND快閃存儲器件的結構是存儲單元與每條位線串聯連接。與一條位線串聯連接的存儲單元可以形成利用一次接觸可訪問的單元串。這意味著NAND快閃存儲器件對高集成度更具有優勢。

近年來，人們已經對在一個存儲單元中存儲多個數據位以便增加快閃存儲器件的集成度的技術進行了研究。能夠存儲多位數據的存儲單元被稱為多層單元(MLC)。與MLC相對，僅能夠存儲一位數據的存儲單元被成為單層單元(SLC)。

發明內容

根據一些實施例的非易失性存儲器件的操作方法包括：使源數據隨機化以產生隨機化源數據；將隨機化源數據存儲到非易失性存儲器件中；基于存儲地址產生種子；響應于種子產生隨機數據序列；以及利用隨機數據序列將隨機化源數據去隨機化(de-randomize)。

根據一些實施例的非易失性存儲器件包括：存儲單元陣列，被配置為存儲數據；頁面緩沖電路，連接到存儲單元陣列；以及隨機數據接口電路，被配置為遞增與高速緩存讀操作相關聯地輸入的地址，并且利用所增加的地址作為種子，將通過頁面緩沖電路所讀取的存儲數據去隨機化。

根據一些實施例的讀取存儲在非易失性存儲器件中的數據的方法包括：接收第一讀命令和初始地址；響應于初始地址從存儲單元陣列中讀取第一數據；利用響應于初始地址所產生的第一隨機數據序列將第一數據去隨機化；接收第二讀命令；基于初始地址產生內部地址，響應于內部地址從存儲單元陣列中讀取第二數據；利用響應于內部地址所產生的第二隨機數據序列將第二數據去隨機化。

附圖說明

通過參考附圖的以下描述，本發明的以上及其它目標和特點將變得明顯，在圖中，除非有特殊規定，否則相同的附圖標記表示相同的部件，其中：

圖1是示意性說明根據一些實施例的存儲器件的框圖。

圖2是示意性說明圖1中的隨機數據接口電路的框圖。

圖3是示意性說明圖2中的隨機序列產生器的框圖。

圖4是描述根據一些實施例的存儲器件的隨機化操作的圖形。

圖5是描述根據一些實施例的存儲器件的操作的圖形。

圖6是說明根據一些實施例的存儲器件的寫操作的流程圖。

圖7是說明根據一些實施例的存儲器件的讀操作的流程圖。

圖8是示意性說明包含根據一些實施例的存儲器件的計算系統的框圖。

圖9是示意性說明包含根據一些實施例的存儲器件的基于存儲器的存儲設備的框圖。

具體實施方式

下面參考附圖更加全面地描述本發明構思，附圖中給出了本發明構思的實施例。然而，本發明構思可以被實現為不同的形式，而不應當被理解為僅限于這里所提出的實施例。更確切地說，提供這些實施例以便使本公開將是徹底和完全的，并且將本發明構思完全地傳遞給本領域技術人員。為了清晰起見，圖中的層和區域的尺寸和相對尺寸可以被夸大。全文中相同的附圖標記表示相同的元件。

應當理解，雖然術語第一、第二、第三等這里可以被用于描述各種元件、組件、區域、層、和/或區段，但是這些元件、組件、區域、層和/或區段不應當被這些術語所限制。這些術語僅僅被用于區別不同的元件、組件、區域、層或區段。因此，在不脫離本發明構思的教導的情況下，下面所討論的第一元件、組件、區域、層或區段可以被稱為第二元件、組件、區域、層或區段。