[發(fā)明專利]一種在非平整襯底表面制備納米結(jié)構(gòu)基質(zhì)的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010129612.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101813884A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡洪冰;張琨;于欣欣;王曉平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 關(guān)暢

1.一種在非平整襯底表面制備納米結(jié)構(gòu)基質(zhì)的方法，包括如下步驟：

1)在襯底上涂覆光刻膠的有機(jī)溶液并烘干，得到烘干后的光刻膠；其中，所述 光刻膠為聚甲基丙烯酸甲酯；

2)將所述烘干后的光刻膠依次進(jìn)行曝光、顯影和定影，得到掩膜板；

3)在pH值為11-14的條件下，將所述掩膜板水解，得到懸浮的掩膜板，洗凈；

4)用具有非平整表面的襯底撈起所述懸浮的掩膜板，將襯底連同掩模板一起烘 干，使得所述掩膜板與所述具有非平整表面的襯底表面緊密結(jié)合，記為樣品C，然后 在樣品C表面沉積目標(biāo)材料；

5)去掉所述掩膜板，在所述具有非平整表面的襯底得到所述納米結(jié)構(gòu)基質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，構(gòu)成所述襯底的 材料為二氧化硅，所述襯底的厚度為100nm～1um。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，所述襯底的厚度 為300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，所述 聚甲基丙烯酸甲酯的重均分子量為50,000～950,000，所述聚甲基丙烯酸甲酯的有 機(jī)溶液中，溶劑為氯仿和甲醚中的至少一種，所述聚甲基丙烯酸甲酯的有機(jī)溶液的質(zhì) 量百分濃度為1％-9％。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，所述聚甲基丙烯 酸甲酯的重均分子量為495,000或950,000，所述聚甲基丙烯酸甲酯的有機(jī)溶液的 質(zhì)量百分濃度為1％或6％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)涂覆步驟中，涂覆的 方法為旋涂法。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述旋涂法中，轉(zhuǎn)速為2000～6000 轉(zhuǎn)/秒；烘干步驟中，溫度為170-220℃，時(shí)間為1～5分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述旋涂法中，轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/ 秒或4000轉(zhuǎn)/秒；烘干步驟中，溫度為180℃，時(shí)間為2分鐘或4分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2)曝光步驟中，曝光方 法為電子束曝光，所述電子束的加速電壓為10KeV～20KeV，曝光劑量為70～ 210uAS/cm²；所述顯影步驟中，顯影時(shí)間為30秒～2分鐘；所述定影步驟中，時(shí)間為 30s～2分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：所述定影步驟中，時(shí)間為1分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中，所述pH值為 11-14的條件為氫氧化鉀水溶液，所述氫氧化鉀水溶液的濃度為0.5-1.5Mol/L，所述洗 凈步驟中，洗滌溶劑為去離子水；

所述步驟4)烘干步驟中，溫度為20-90℃。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述氫氧化鉀水溶液的濃度為 1Mol/L；所述步驟4)烘干步驟中，溫度為40℃。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4)沉積步驟中，沉積 的方法為氬離子濺射沉積法、激光濺射沉積法、熱蒸發(fā)沉積法或電子束熱蒸發(fā)沉積法； 所述目標(biāo)材料選自金、銀、銅、鈦和二氧化硅中的至少一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于：所述步驟4)沉積步驟中，沉積 的方法為熱蒸發(fā)沉積法。