[發(fā)明專利]一種一次擴散制備選擇性發(fā)射極的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010129510.0
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN101794845A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設計）人: 張學玲;金浩
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種一次擴散制備選擇性發(fā)射極的方法，其特征是依次具有如下工藝步驟：先將硅片制絨，接著進行均勻重擴散，擴散后在硅片表面沉積氮化硅薄膜，然后將腐蝕性漿料印在硅片的非金屬電極區(qū)以刻蝕掉該處的氮化硅薄膜，最后用酸溶液或堿溶液腐蝕掉非金屬電極區(qū)的硅得到淺擴散區(qū)，電極區(qū)即為重擴散區(qū)。

2.根據權利要求1所述的一種一次擴散制備選擇性發(fā)射極的方法，其特征是：所述的硅片是P型或N型的單晶硅或多晶硅，其電阻率是0.2～10Ωcm。

3.根據權利要求1所述的一種一次擴散制備選擇性發(fā)射極的方法，其特征是：所述的氮化硅薄膜的厚度為30-200nm。

4.根據權利要求1所述的一種一次擴散制備選擇性發(fā)射極的方法，其特征是：所述的酸溶液為HF酸和HNO₃的混合溶液，其中HF酸的濃度為20-150g/l，HNO₃濃度為20-350g/l；堿溶液為KOH溶液或NaOH溶液，KOH溶液或NaOH溶液濃度為0.1wt％-5wt％；用酸溶液或堿溶液腐蝕的時間為1-30min，溫度為5-90℃。