[發明專利]光學物品及其制造方法

無效

• 申請號: 201010129480.3
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN101825728A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 西本圭司;野口崇;關浩幸
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02B1/10
• 分類號: G02B1/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種光學物品的制造方法，所述光學物品具有直接或隔著其他層在光學基材上形成的濾光層，所述濾光層使規定波段的光透過而將波長長于和/或短于所述規定波段的光屏蔽，

其中，所述光學物品的制造方法具有下述步驟：

形成所述濾光層所含有的第1層；和

通過在所述第1層的表面添加碳、硅和鍺的至少任意之一來實施低電阻化。

2.如權利要求1所述的光學物品的制造方法，其中，所述第1層含有能與碳、硅和鍺的至少任意之一形成化合物的過渡金屬。

3.如權利要求1或2所述的光學物品的制造方法，其中，所述實施低電阻化的步驟中進一步包括將用于與碳、硅和鍺的至少任意之一形成化合物的過渡金屬添加于所述第1層的表面的步驟。

4.如權利要求1～3任一項所述的光學物品的制造方法，其中，所述濾光層是含有所述第1層的多層膜，所述光學物品的制造方法進一步包括在所述第1層上疊置形成所述多層膜的其他層的步驟。

5.一種光學物品，其具有光學基材和濾光層，所述濾光層直接或隔著其他層形成在所述光學基材上，并且該濾光層使規定波段的光透過而將波長長于和/或短于所述規定波段的光屏蔽，

所述濾光層具備含有通過添加碳、硅和鍺的至少任意之一而被低電阻化的表層域的第1層。

6.如權利要求5所述的光學物品，其中，所述第1層含有能與碳、硅和鍺的至少任意之一形成化合物的過渡金屬。

7.如權利要求5或6所述的光學物品，其中，所述表層域含有碳、硅和鍺的至少任意之一與過渡金屬的化合物。

8.如權利要求5～7任一項所述的光學物品，其中，所述濾光層使可見光透過而將紫外光和/或紅外光屏蔽。

9.如權利要求5～8任一項所述的光學物品，其中，所述濾光層是多層膜，所述第1層是構成所述多層膜的一個層。

10.如權利要求9所述的光學物品，其中，所述第1層是含有能與碳、硅和鍺的至少任意之一形成化合物的過渡金屬的氧化物層。

11.如權利要求5～10任一項所述的光學物品，其中，所述光學基材是玻璃板或水晶板。

12.一種系統，其具有如權利要求5～11任一項所述的光學物品、和用于通過所述光學物品獲取圖像的攝像裝置。