[發(fā)明專利]發(fā)光器件封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010128905.9 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101834256A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金起范 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光器件封裝。
背景技術(shù)
III~V族氮化物半導(dǎo)體由于它們的物理和化學(xué)特性,所以可用作發(fā)光器件如發(fā)光二極管(LED)或者激光二極管(LD)的芯材料。通常,III~V族氮化物半導(dǎo)體可由組成式為InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料形成。
LED是能夠利用化合物半導(dǎo)體的特性將電轉(zhuǎn)化成紅外線或光從而傳輸和接收信號(hào)或者從而用作光源的半導(dǎo)體器件。由氮化物半導(dǎo)體材料形成的這種LED或LD可用作產(chǎn)生光的發(fā)光器件,例如,用作手機(jī)鍵盤(pán)、電子顯示板或其它照明器件的發(fā)光部分的光源。
發(fā)明內(nèi)容
本文廣泛描述的實(shí)施方案涉及如下所述的發(fā)光器件封裝。
1.一種發(fā)光器件封裝,包括:
包括位于下部體上的上部體的體;
在所述上部體中形成的腔;
包括彼此電隔離的第一引線框和第二引線框的引線框,其中所述第一和第二引線框的第一末端位于所述上部體和所述下部體之間并且延伸入所述腔中,所述第一和第二引線框的第二末端延伸出所述體之外并且與所述下部體的對(duì)應(yīng)的側(cè)面和底面接觸;
在所述引線框的部分上設(shè)置的金屬層;和
位于所述腔中并與所述引線框電耦合的發(fā)光器件。
2.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層設(shè)置在暴露于所述體的外部的所述引線框的表面上。
3.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層設(shè)置于形成在所述引線框和所述體之間的間隙中。
4.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,其中所述引線框涂覆有鎳鍍層、金鍍層或銀鍍層中的至少一種。
5.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層由錫(Sn)形成。
6.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層與所述引線框和所述體接觸。
7.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層設(shè)置于形成在所述上部體與所述第一和第二引線框之間的間隙中。
8.如上述1所述的發(fā)光器件封裝,還包括設(shè)置于所述腔中的密封材料。
9.如上述8所述的發(fā)光器件封裝,其中所述密封材料包括熒光材料。
10.一種發(fā)光器件封裝,包括:
其中形成有腔的體;
引線框,所述引線框穿過(guò)所述體以使得所述引線框的第一部分位于所述腔中而所述引線框的第二部分暴露于所述體的外部;
設(shè)置于所述引線框的暴露部分上以及在所述體和所述引線框之間形成的間隙中的金屬層;和
設(shè)置于所述腔中并與所述引線框電耦合的發(fā)光器件。
11.如上述10所述的發(fā)光器件封裝,其中所述引線框涂覆有鎳鍍層、金鍍層或者銀鍍層中的至少一種,并且在所述鍍層上選擇性地設(shè)置有金屬層。
12.如上述10所述的發(fā)光器件封裝,其中所述體包括位于下部體上的上部體,所述引線框包括彼此電隔離的第一引線框和第二引線框,其中所述第一和第二引線框的第一末端位于所述上部體和所述下部體之間并且延伸入所述腔中,所述第一和第二引線框的第二末端延伸出所述體之外。
13.如上述12所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層設(shè)置在形成于所述上部體與所述第一和第二引線框之間以及所述下部體與所述第一和第二引線框之間的間隙中,和設(shè)置在所述第一和第二引線框的第二末端的暴露部分上。
14.如上述10所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層由錫(Sn)形成。
15.如上述10所述的發(fā)光器件封裝,其中所述金屬層設(shè)置在暴露于所述體的外部的引線框的表面上并且不與所述體直接接觸。
16.如上述10所述的發(fā)光器件封裝,還包括設(shè)置在所述腔中的密封材料。
17.如上述16所述的發(fā)光器件封裝,其中所述密封材料包括熒光材料。
18.一種發(fā)光器件封裝,包括:
包括位于第二體上的第一體的體,所述第一體具有形成于其中的腔;
引線框,所述引線框在所述第一和第二體之間延伸,以使得所述引線框的第一部分位于所述腔中而所述引線框的第二部分延伸至所述體的外部;
設(shè)置于所述腔中并與所述引線框電耦合的發(fā)光器件;和
僅設(shè)置在不直接接觸所述體的所述引線框的表面上的金屬層。
19.如上述18所述的發(fā)光器件封裝,其中所述引線框包括第一引線框和第二引線框,所述第一引線框和第二引線框均具有穿過(guò)所述體并延伸入所述腔中的第一部分和暴露于所述體的外部的第二部分,其中所述第一和第二引線框彼此電隔離并且均與所述發(fā)光器件電耦合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于LG伊諾特有限公司,未經(jīng)LG伊諾特有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010128905.9/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





