[發明專利]吸盤及其承片臺

有效

• 申請號: 201010128748.1
• 申請日: 2010-06-02
• 公開（公告）號: CN102270596A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 方潔;齊芊楓;李志龍
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司;上海微高精密機械工程有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發明涉及一種光刻設備的固定裝置，且特別涉及一種用于光刻設備中的晶片承載裝置，如包括有吸盤的承片臺。

背景技術

現有技術中的光刻設備，主要用于集成電路IC或其它微型器件的制造。通過光刻設備，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對準下依次成像在涂覆有光刻膠的晶片上，例如半導體晶片或LCD液晶面板。

光刻設備是一種將掩模圖案曝光成像到晶片上的設備。已知的光刻設備包括步進重復式和步進掃描式。不論哪種光刻設備，需具有相應的裝置作為掩模版和晶片的載體，裝載有掩模版/晶片的載體產生精確的相互運動來滿足光刻需要。上述掩模版的載體被稱之為承版臺，晶片的載體被稱之為承片臺。承版臺和承片臺分別位于光刻設備的掩模臺分系統和工件臺分系統中，為上述分系統的核心模塊。在承版臺和承片臺的相互運動中，須保證掩模版和晶片始終被可靠地定位，也即上述掩模版和晶片的六個自由度皆被限制住。

在承片臺模塊中，直接用于定位且夾持晶片的裝置稱之為吸盤，吸盤又被定位且夾持在承片臺模塊的核心部件方鏡上表面，方鏡由一系列驅動器驅動，可產生多個自由度的運動，從而完成對承片臺模塊的位置調整，使晶片完成調平調焦的要求。已知技術采用真空吸附的方法使晶片定位，在美國專利US6257564B1，US6664549B2，US200910027649A1，中國專利200510113862.6A中均有提出采用真空吸附的方式使晶片定位在吸盤上表面，提出了吸盤上表面若干形態的分布，以優化在真空吸附時對晶片產生的變形、熱應力等影響。但現有的專利或其他文獻資料中并未涉及吸盤下表面的結構，對于優化吸盤下表面結構以更加精確可靠地定位晶片未有明確描述。

發明內容

本發明提出一種應用于光刻設備的晶片承載裝置，以使得晶片更均勻地吸附在吸盤表面上，以更精確可靠地定位晶片。

為了達到上述目的，本發明之其中之一技術方案提出一種吸盤，位于光刻設備中的承片臺中，所述吸盤具有上表面和下表面，所述吸盤的上表面用于承載晶片，所述吸盤的下表面包括下表面密封邊緣凸起，圍繞設置在所述吸盤下表面的邊緣；多個中空環形凸起，設置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設的區域之內并與所述吸盤共圓心，每一中空環形凸起內開設有未貫穿吸盤上下表面的環形腔，其中，至少其中之一的中空環形凸起的環形腔設有真空連通區域；多個徑向凸起，每一徑向凸起沿所述吸盤的徑向設置并連接所述設有真空連通區域的中空環形凸起至其他一些中空環形凸起，每一徑向凸起內開設有未貫穿吸盤上下表面的徑向空腔，以與各個中空環形凸起內的環形腔相互連通；以及多個真空通孔，位于每一環形腔內并貫穿所述吸盤的上下表面。

相比較現有技術，本發明由于采用了具有徑向空腔的徑向凸起，其連接所述設有真空連通區域的中空環形凸起至其他一些中空環形凸起，以此方式真空能快速地建立至吸盤的大部分面積，使得真空通過各個中空環形凸起中的環形腔內的真空通孔導向吸盤上表面以吸附晶片的吸附效果更具均勻性，有利于更精確可靠地定位晶片。

本發明之另一技術方案提出一種承片臺，其用于光刻設備中，所述承片臺包括吸盤和方鏡，吸盤具有上表面和下表面，吸盤上表面用以承載晶片，吸盤下表面置于方鏡上表面上，其吸盤下表面包括下表面密封邊緣凸起，圍繞設置在所述吸盤下表面的邊緣；以及多個真空通孔，設置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設的區域之內并貫穿所述吸盤的上下表面。

相比較現有技術，本發明由于在吸盤下表面設置下表面密封邊緣凸起以及真空孔，以使真空通過真空通孔導向吸盤上表面以使得吸附晶片的吸附效果更具均勻性，有利于更精確可靠地定位晶片。

附圖說明

圖1a是承片臺模塊承載晶片的結構示意圖；

圖1b是圖1a中的承片臺模塊的分解示意圖；

圖2a所示為本發明第一實施例中的吸盤上表面結構示意圖；

圖2b所示為本發明第一實施例中的吸盤下表面結構示意圖；

圖3所示為本發明第二實施例中的吸盤下表面結構示意圖；

圖4a為第一實施例或第二實施例中的支撐凸起的結構示意圖；

圖4b為第一實施例或第二實施例中的支撐凸起的分布示意圖；

圖5為本發明第二實施例中吸盤以機械夾持方式初步定位的結構示意圖。

具體實施方式

為了更了解本發明的技術內容，特舉具體實施例并配合所附圖式說明如下。

圖1a是承片臺模塊承載晶片的結構示意圖。