[發(fā)明專利]逆流防止電路以及電源切換裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010128665.2
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN101826794A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田淵仁之;永井富幸;川越治;花輪大佑
• 申請（專利權(quán)）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜

1.一種逆流防止電路，其是連接在電壓輸入端子和輸出端子之間，控制 所述電壓輸入端子和輸出端子之間的導通狀態(tài)的N溝道型的開關(guān)MOS晶體管 的逆流防止電路，其特征在于，

具備：第一MOS晶體管，其連接在所述開關(guān)MOS晶體管的基片和接地 點之間；以及

第二MOS晶體管，其連接在所述開關(guān)MOS晶體管的基片和比接地點高 的預(yù)定的恒定電位點之間，

在使所述開關(guān)MOS晶體管為導通狀態(tài)的期間，對該開關(guān)MOS晶體管的 基片施加比接地點高的預(yù)定的恒定電位，

在使所述開關(guān)MOS晶體管為截止狀態(tài)的期間，對該開關(guān)MOS晶體管的 基片施加接地電位，

所述第一MOS晶體管是N溝道型MOS晶體管，所述第二MOS晶體管 是P溝道型MOS晶體管，對所述第一以及第二MOS晶體管的柵極端子施加 與對所述開關(guān)MOS晶體管的柵極端子施加的控制信號反相的信號。

2.一種逆流防止電路，其是連接在電壓輸入端子和輸出端子之間，控制 所述電壓輸入端子和輸出端子之間的導通狀態(tài)的N溝道型的開關(guān)MOS晶體管 的逆流防止電路，其特征在于，

具備：第一MOS晶體管，其連接在所述開關(guān)MOS晶體管的基片和接地 點之間；以及

第二MOS晶體管，其連接在所述開關(guān)MOS晶體管的基片和所述輸出端 子或所述電壓輸入端子之間，

在使所述開關(guān)MOS晶體管為導通狀態(tài)的期間，使所述第一MOS晶體管 為截止狀態(tài)，使所述第二MOS晶體管為導通狀態(tài)，

在使所述開關(guān)MOS晶體管為截止狀態(tài)的期間，使所述第一MOS晶體管 為導通狀態(tài)，使所述第二MOS晶體管為截止狀態(tài)，

所述第一MOS晶體管是N溝道型MOS晶體管，所述第二MOS晶體管 是P溝道型MOS晶體管，對所述第一以及第二MOS晶體管的柵極端子施加 與對所述開關(guān)MOS晶體管的柵極端子施加的控制信號反相的信號。

3.一種電源切換裝置，其具備：N溝道型的第一開關(guān)MOS晶體管，其連 接在輸入第一直流電壓的第一電壓輸入端子和輸出端子之間，控制所述第一電 壓輸入端子和輸出端子之間的導通狀態(tài)；

N溝道型的第二開關(guān)MOS晶體管，其連接在輸入第二直流電壓的第二電 壓輸入端子和輸出端子之間，控制所述第二電壓輸入端子和輸出端子之間的導 通狀態(tài)；

對應(yīng)所述第一開關(guān)MOS晶體管設(shè)置的第一逆流防止電路；以及

控制電路，其對應(yīng)所述第一電壓輸入端子的電壓以及所述第二電壓輸入端 子的電壓，生成施加給所述第一以及第二開關(guān)MOS晶體管的柵極端子的控制 信號，

所述電源切換裝置選擇所述第一電壓輸入端子或所述第二電壓輸入端子 中的某一方的電壓來提供給所述輸出端子，

所述電源切換裝置的特征在于，

所述第一逆流防止電路具備：第一MOS晶體管，其連接在所述第一開關(guān) MOS晶體管的基片和接地點之間；以及

第二MOS晶體管，其連接在所述第一開關(guān)MOS晶體管的基片和所述輸 出端子或所述電壓輸入端子之間，

在使所述第一開關(guān)MOS晶體管為導通狀態(tài)的期間，使所述第一MOS晶 體管為截止狀態(tài)，使所述第二MOS晶體管為導通狀態(tài)，

在使所述第一開關(guān)MOS晶體管為截止狀態(tài)的期間，使所述第一MOS晶 體管為導通狀態(tài)，使所述第二MOS晶體管為截止狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電源切換裝置，其特征在于，

還具備對應(yīng)所述第二MOS晶體管設(shè)置的第二逆流防止電路，

所述第二逆流防止電路具備：第三MOS晶體管，其連接在所述第二開關(guān) MOS晶體管的基片和接地點之間；以及

第四MOS晶體管，其連接在所述第二開關(guān)MOS晶體管的基片和所述輸 出端子或所述電壓輸入端子之間，

在使所述第二開關(guān)MOS晶體管為導通狀態(tài)的期間，使所述第三MOS晶 體管為截止狀態(tài)，使所述第四MOS晶體管為導通狀態(tài)，

在使所述第二開關(guān)MOS晶體管為截止狀態(tài)的期間，使所述第三MOS晶 體管為導通狀態(tài)，使所述第四MOS晶體管為截止狀態(tài)。