[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體集成電路的自組裝圖樣

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010128088.7
• 申請日: 2010-03-08
• 公開（公告）號: CN101950719A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李宗霖;萬幸仁;張慶裕
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/768
• 代理公司: 北京市德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 梁永

優(yōu)先權(quán)資料

本申請要求于2009年7月10日提交的名為“SELF-ASSEMBLYPATTERN?FOR?SEMICONDUCTOR?INTERGRATED?CIRCUIT”的臨時申請第61/224,660號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種制造半導(dǎo)體集成電路的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速發(fā)展。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了多代IC，每代均具有比前一代更小和更復(fù)雜的電路。然而，這些進(jìn)步增加了處理和制造IC的復(fù)雜性，并且對于實現(xiàn)的這些進(jìn)步，需要IC處理和制造的類似開發(fā)。在IC演進(jìn)的過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增加，同時幾何尺寸(即，可使用制造處理創(chuàng)建的最小部件)減小。隨著幾何尺寸連續(xù)成比例下降，通過傳統(tǒng)光刻處理來圖樣化IC部件越來越困難。此外，更小的幾何尺寸導(dǎo)致其他具有挑戰(zhàn)性的問題，諸如圖樣均一性和部件對準(zhǔn)。

因此，雖然用于制造半導(dǎo)體集成電路器件的現(xiàn)有方法通常適用于它們想要的目的，但是它們不是在每個方面都令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一種形式涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括：提供襯底；在襯底之上形成材料層；在材料層之上形成聚合物層；使用聚合物層的一部分對納米部件進(jìn)行自組裝(self-assembly)；以及使用納米部件對襯底進(jìn)行圖樣化。

本公開的另一種形式涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括：提供襯底；在襯底之上形成引導(dǎo)層，該引導(dǎo)層具有凹槽；在凹槽中形成聚合物層，聚合物層具有第一和第二組分；處理聚合物層，以利于第一和第二組分的分離；去除第二組分，從而在聚合物層中形成開口；以及使開口延伸至襯底。

本公開的又一種形式涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括：提供襯底；在襯底之上形成材料層；在材料層之上形成引導(dǎo)層，引導(dǎo)層具有在襯底的區(qū)域之上的凹槽；在凹槽中形成聚合物層，其中，在材料層和聚合物層之間存在界面能；將聚合物層轉(zhuǎn)換為具有與界面能相關(guān)的預(yù)定結(jié)構(gòu)的掩模；以及使用掩模執(zhí)行圖樣化處理。

附圖說明

結(jié)合附圖，從以下詳細(xì)的描述中更好地理解本公開的各個方面。需要強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)方法，各個部件不按比例繪制。事實上，為了清楚描述，各個部件的尺寸可以任意地增加或減小。

圖1至圖14示出了根據(jù)多個實施例的處于各個制造階段的半導(dǎo)體器件的截面圖。

具體實施方式

應(yīng)該明白，以下公開提供了多個不同的實施例或?qū)嵗糜趯崿F(xiàn)多個實施例的不同部件。以下描述組分和布置的特定實例以簡化本公開。當(dāng)然，它們僅是實例，并不用于限制本發(fā)明。例如，以下說明書中的在第二部件之上或上形成第一部件可以包括第一和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括附加部件可形成在第一和第二部件之間使得第一和第二部件可以不直接接觸的實施例。另外，本公開可以在多個實例中重復(fù)使用參考標(biāo)號和/或字母。該重復(fù)使用是為了簡化和清楚的目的，其本身并不用于表明所述的多個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

圖1至圖14示出了根據(jù)多個實施例的多個制造階段期間的半導(dǎo)體器件100的示意性不完整截面?zhèn)纫晥D。半導(dǎo)體器件100可以為集成電路(IC)芯片、芯片上系統(tǒng)(SoC)或其一部分，可包括各種無源和有源微電子器件，諸如電阻器、電容器、電感器、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管、雙極結(jié)晶體管(BJT)、橫向擴(kuò)散的MOS(LDMOS)晶體管、高功率MOS晶體管或其他類型的晶體管。應(yīng)該明白，圖1至圖14已經(jīng)被簡化以利于對本公開發(fā)明思想的更好理解。