[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造中的測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010128086.8
• 申請日: 2010-03-08
• 公開（公告）號: CN101853802A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許家豪;傅士奇;許峰嘉;蔡嘉雄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/71
• 分類號: H01L21/71;H01L23/544;H01L27/146
• 代理公司: 北京市德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 梁永

1.一種方法，包括：

提供具有正面和背面的器件襯底，所述器件襯底具有第一折射率；

在所述器件襯底的正面之上形成嵌入靶；

在所述嵌入靶之上形成反射層；

在所述器件襯底的背面之上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層具有小于所述第一折射率的第二折射率；以及

從所述背面投射輻射穿過所述介質(zhì)層和所述器件襯底，從而為半導(dǎo)體加工檢測所述嵌入靶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述器件襯底的正面之上形成柵層，所述柵層具有柵電介質(zhì)層和柵電極層；

在所述柵層之上形成互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)具有多個金屬層；

將載體襯底鍵合到所述器件襯底的正面；以及

從所述背面減薄所述器件襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述嵌入靶采用與用于形成所述柵電極相同的加工步驟，和/或其中形成所述反射層采用與用于形成所述金屬層之一相同的加工步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述嵌入靶包括在所述器件襯底的劃線區(qū)之內(nèi)形成所述靶。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述器件襯底的背面上形成另外的靶；以及

將所述另外的靶與所述嵌入靶對準。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述介質(zhì)層使得所述第二折射率大于空氣的折射率。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述介質(zhì)層使得所述介質(zhì)層包括氧化物材料和紫外線氮化物材料。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

具有正面和背面的器件襯底，所述器件襯底具有第一折射率；

形成在所述器件襯底的正面之上的嵌入靶；

形成在所述嵌入靶之上的反射層，所述反射層能夠反射從所述器件的背面投射的輻射；以及

形成在所述器件襯底的背面之上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層具有小于所述第一折射率的第二折射率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

形成在所述器件襯底的正面之上的柵層，所述柵層具有柵電介質(zhì)層和柵電極層；

形成在所述柵層之上的互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)具有多個金屬層；以及

鍵合到所述器件襯底的正面的載體襯底；

其中所述器件襯底具有小于大約10um的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述嵌入靶和所述柵電極包括相同的材料，和/或其中所述反射層和所述金屬層之一包括相同的材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述靶在所述器件襯底劃線區(qū)之內(nèi)形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述器件襯底的背面上的另外的靶，其中所述另外的靶與所述嵌入靶對準。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二折射率大于空氣的折射率。

14.一種半導(dǎo)體制造方法，包括：

提供具有正面和背面的器件襯底，所述器件襯底具有第一折射率和劃線區(qū)；

在所述器件襯底的正面之上的柵層中形成嵌入標記，所述嵌入標記形成在所述劃線區(qū)之內(nèi)；

在互連結(jié)構(gòu)中形成反射層；

將載體襯底鍵合到所述器件襯底的正面；

從所述背面減薄所述器件襯底；

在所述減薄的器件襯底的背面之上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層具有小于所述第一折射率并大于空氣的折射率的第二折射率；以及

從所述背面投射輻射穿過所述介質(zhì)層和所述器件襯底，從而為半導(dǎo)體加工檢測所述嵌入標記。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：

在形成所述介質(zhì)層之后，在所述介質(zhì)層上形成構(gòu)圖的光致抗蝕劑層，所述光致抗蝕劑層包括在所述劃線區(qū)之內(nèi)的另外的標記；以及

通過投射輻射將所述另外的標記與所述嵌入標記對準。