[發(fā)明專利]一種新型源漏結(jié)構(gòu)的抗輻照SOI器件及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010128030.2
• 申請日: 2010-03-16
• 公開（公告）號: CN102194828A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃如;黃德濤;劉文;王健
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/762
• 代理公司: 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長江

1.一種新型源漏結(jié)構(gòu)的抗輻照SOI器件，包括襯底硅層，埋氧化層、有源區(qū)硅層、柵氧化層及隔離氧化層，所述有源區(qū)硅層上形成源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，其特征在于，所述源區(qū)或者漏區(qū)與埋氧化層之間有一層與源區(qū)或者漏區(qū)摻雜類型相反的摻雜層。

2.如權(quán)利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述源區(qū)或者漏區(qū)的摻雜濃度與所述摻雜層界面的摻雜濃度變化為突變。

3.如權(quán)利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述摻雜層的厚度為10～40納米。

4.如權(quán)利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述摻雜層的形成方法為：第一次對源區(qū)或漏區(qū)進(jìn)行離子注入摻雜，對于NMOS而言注入施主雜質(zhì)，對于PMOS而言注入受主雜質(zhì)；第二次對源區(qū)或漏區(qū)進(jìn)行離子注入摻雜，注入雜質(zhì)類型與第一次相反。

5.一種新型源漏結(jié)構(gòu)的抗輻照SOI器件制備方法，其步驟包括：

1)準(zhǔn)備兩片單晶硅，一片作為有源區(qū)硅層，一片作為襯底硅片，所述襯底硅片上使用熱氧化工藝生成埋氧化層；

2)采用硅片鍵合工藝將第一步制作的有源區(qū)硅層與具有埋氧化層的硅襯底制作在一起，之后對于頂層的硅膜減薄；

3)使用源漏掩膜版阻擋器件溝道區(qū)部分，使用離子注入工藝使溝道兩端形成源區(qū)及漏區(qū)；

4)采用同樣的離子注入工藝，使用與步驟3)相反類型的雜質(zhì)離子，注入源區(qū)或漏區(qū)，使源區(qū)或漏區(qū)與埋氧層接觸處形成摻雜薄層；

5)進(jìn)行溝道部分摻雜，使用源漏掩膜版定義柵氧化層的長度，在溝道部分之上制作柵氧化層；

6)在柵氧化層上淀積多晶硅柵，之后生成隔離氧化層實現(xiàn)多晶硅柵與源區(qū)、漏區(qū)之間的隔離；

7)后續(xù)進(jìn)行SOI器件常規(guī)加工程序，制作完畢。

6.如權(quán)利要求5所述的SOI器件制備方法，其特征在于，所述步驟4)注入濃度為1.2×10²⁰cm^-3～1.5×10²⁰cm^-3。