[發明專利]固體攝像裝置無效
| 申請號: | 201010127480.X | 申請日: | 2010-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN101901819A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發明(設計)人: | 山口鐵也 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,其特征在于,包括:
半導體層,具有第一導電型;
多個擴散層,具有第二導電型,在上述半導體層中陣列狀地配置,各個上述擴散層構成像素;
像素晶體管,配置在上述半導體層上;以及
絕緣層,配置在上述像素晶體管的正下方,而不配置在上述多個擴散層的正下方;
上述像素晶體管配置在與其電連接的像素以外的其他像素之間。
2.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,
上述多個擴散層的底面配置在比上述絕緣層的上面低的位置。
3.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,
上述半導體層是在半導體基板上的外延層。
4.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,
上述半導體層是在半導體基板中的阱區域。
5.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,還包括:
層間絕緣層,配置在上述半導體層上,覆蓋上述像素晶體管;
第一半導體基板,配置在上述半導體基板下;以及
第二半導體基板,配置在上述層間絕緣層上。
6.如權利要求5所述的固體攝像裝置,其特征在于,
光從上述第一半導體基板向上述多個擴散層入射。
7.如權利要求5所述的固體攝像裝置,其特征在于,
光從上述第二半導體基板向上述多個擴散層入射。
8.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,
上述多個擴散層分別呈方形,上述像素晶體管連接在上述方形的角部。
9.一種照相機模塊,其特征在于,包括:
權利要求1的固體攝像裝置;
微透鏡,把光導入上述固體攝像裝置;以及
濾色器,配置于上述固體攝像裝置與上述微透鏡之間。
10.如權利要求9所述的照相機模塊,其特征在于,還包括:
模塊透鏡,把上述光導入上述微透鏡;以及
封裝,安裝有上述固體攝像裝置、上述微透鏡、上述濾色器、及上述模塊透鏡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





