[發明專利]化合物半導體封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010127227.4
• 申請日: 2010-03-18
• 公開（公告）號: CN102194965A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 陳志明
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種化合物半導體的封裝結構，包含：

一底座；

一反射杯設置于所述底座上表面形成一容置區；

至少一化合物半導體芯片設置于所述容置區；

至少一導線架設置于所述底座上表面與所述反射杯的間以及延伸至所述底座的下表面；

一封膠填充于所述容置區并覆蓋所述至少一化合物半導體芯片；

其特征在于：化合物半導體的封裝結構更包含所述底座四面側壁向內傾且鄰接底座下表面而形成一四方錐形。

2.根據權利要求1所述化合物半導體封裝結構，其特征在于：所述底座的下表面和四面側壁間的一者的夾角所界定的第一內傾角的角度，其大于95°。

3.根據權利要求1所述化合物半導體封裝結構，其特征在于：所述底座的與所述第一內傾角相對的一第二內傾角的角度為大于95°，且其它二相對的內傾角度亦大于95°。

4.一種化合物半導體封裝結構的制造方法，包含：

提供一模具具有四方錐形第一模穴及一自所述第一模穴的一側延伸的環形第二模穴，其中所述第一模穴含有一注入口；

放置多片金屬片位于所述第一模穴與所述第二模穴的間，其中所述多片金屬片的間有一間隔距離并且所述多片金屬片至少有一端延伸出所述模具；

由所述注入口注入塑料填充所述第一模穴及所述第二模穴；

冷卻所述模具，所述填充于第一模穴中的塑料形成一底座，所述填充于第一模穴中的塑料形成一反射杯，所述反射杯于所述底座一側圍設一容置區；

打開所述模具并且頂出所述底座及反射杯的一體成型結構；

彎折所述多片金屬片的延伸端貼附于該底座下表面以形成一導線架；

固定至少一化合物半導體芯片于所述容置區；

填充一封膠于所述容置區以及覆蓋所述至少一化合物半導體芯片。

5.根據權利要求4所述的化合物半導體封裝結構的制造方法，其特征在于：更包含所述模具的預熱溫度與所述塑料的熔融溫度相似。

6.根據權利要求4所述的化合物半導體封裝結構的制造方法，其特征在于：所述塑料為聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚鄰苯二甲酰胺酯(Polyphthalamide，PPA)、聚對苯二甲酸丁二醇(Polybutylene?Terephthalte，PB?T)或聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl?Methacrylate，PMMA)。

7.根據權利要求4所述的化合物半導體封裝結構的制造方法，其特征在于：所述塑料中添加氧化鎂、氫氧化鎂或二氧化鈦。

8.根據權利要求4所述的化合物半導體封裝結構的制造方法，其特征在于：所述底座的一第一內傾角的角度為大于95°，該第一內傾角為底座相對該反射杯的表面和該底座四側壁的一者間的夾角。

9.根據權利要求4所述的化合物半導體封裝結構的制造方法，其特征在于：所述底座的與所述第一內傾角相對的一第二內傾角的角度為大于95°，且其它二相對的內傾角度亦大于95°。