[發明專利]利用稻殼制備高純硅的方法有效
| 申請號： | 201010127008.6 | 申請日： | 2010-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN102190301A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 島田達也;島宗孝之;姚尚龍 | 申請（專利權）人： | 姚尚龍;島田達也;島宗孝之 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 稻殼 制備 高純 方法 | ||
1.一種利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，包括：
提供稻殼；
對所述稻殼進行粉碎；
對所述粉碎的稻殼進行炭化；
對炭化后的稻殼進行酸處理；
對所述炭化后的稻殼進行造粒，形成顆粒；
對所述顆粒進行電弧熔解還原工藝或者等離子體熔解還原工藝，形成粗制硅；
對所述粗制硅進行電子束處理并進行硅鑄造，形成高純硅。
2.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，對所述稻殼進行粉碎工藝為濕式粉碎工藝。
3.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，粉碎后的稻殼粒徑為1微米至100微米。
4.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，稻殼的炭化工藝為在旋轉的炭化爐中進行。
5.如權利要求4所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，對所述粉碎的稻殼進行炭化具體包括：炭化爐腔室溫度為500℃至1000℃，并通入含水分的惰性氣體。
6.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述酸處理具體包括：將炭化后的稻殼浸入濃度為5％至20％的硫酸溶液中。
7.如權利要求6所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，對炭化后的稻殼進行酸處理具體工藝為：室溫將炭化后的稻殼浸入濃度為10％的硫酸溶液中24小時。
8.如權利要求6所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，對炭化后的稻殼進行酸處理具體工藝為：在80℃至100℃將炭化后的稻殼浸入濃度為10％的硫酸溶液中5小時。
9.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述電弧熔解還原工藝具體為：通入惰性氣體形成壓力，在溫度1000℃至2000℃，對所述顆粒進行電弧熔解，形成粗制硅。
10.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述等離子體熔解還原工藝具體為：通入惰性氣體，在溫度1000℃至2000℃，對所述顆粒進行等離子體熔解。
11.如權利要求9所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述等離子體為氦氫混合氣體的等離子體。
12.如權利要求1所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述電子束處理并進行硅鑄造步驟包括：將粗制硅熔解；將粗制硅進一步熔解并鑄造。
13.一種利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，包括：
提供稻殼；
對所述稻殼進行粉碎；
對所述粉碎的稻殼進行炭化；
對所述炭化后的稻殼進行造粒，形成顆粒；
對所述顆粒進行等離子體熔解還原工藝或者電弧熔解還原工藝，形成硅融體；
單向凝固所述硅融體，形成硅錠；
對所述硅錠進行電子束處理并進行硅鑄造，形成高純硅。
14.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，對所述稻殼進行粉碎工藝為濕式粉碎工藝。
15.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，粉碎后的稻殼粒徑為1微米至100微米。
16.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，稻殼的炭化工藝為在旋轉的炭化爐中進行。
17.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，對所述粉碎的稻殼進行炭化具體包括：炭化爐腔室溫度為500℃至1000℃，并通入含水分的惰性氣體。
18.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述等離子體熔解還原工藝具體為：通入惰性氣體，在溫度1000℃至2000℃，對所述顆粒進行等離子體熔解。
19.如權利要求18所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述等離子體為氦氫混合氣體的等離子體。
20.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述電弧熔解還原工藝具體為：通入惰性氣體，在溫度1000℃至2000℃，對所述顆粒進行電弧熔解，形成粗制硅。
21.如權利要求13所述的利用稻殼制備高純硅的方法，其特征在于，所述電子束處理并進行硅鑄造步驟包括：將粗制硅熔解；將粗制硅進一步熔解并鑄造。
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