[發明專利]半導體裝置以及其制造方法

有效

• 申請號: 201010126485.0
• 申請日: 2010-02-23
• 公開（公告）號: CN101814530A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 秋元健吾;津吹將志
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/34;H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 項丹;胡燁

1.一種半導體裝置，包括：

柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣膜；

所述柵極絕緣膜上的、其端部與所述柵電極層重疊的第一電極層 及第二電極層；

所述第一電極層上的第一布線層；

所述第二電極層上的第二布線層；

所述柵電極層上的氧化物半導體層，以及

所述第一電極層、第二電極層、第一布線層、第二布線層和氧化 物半導體層上的絕緣層，

所述第一電極層的側面及上表面以及所述第二電極層的側面及上 表面與所述氧化物半導體層電連接，

所述柵電極層上的所述柵極絕緣膜在與所述第一電極層接觸的區 域和與所述第二電極層接觸的區域之間具有與所述氧化物半導體層接 觸的區域，

所述氧化物半導體層與所述第一電極層的側面和上表面以及所述 第二電極層的側面和上表面接觸，

并且，所述氧化物半導體層與所述第一布線層的側面和上表面以 及所述第二布線層的側面和上表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，從所述第一電極層 的端部到所述第一布線層的端部的寬度或從所述第二電極層的端部到 所述第二布線層的端部的寬度為0.2μm-5μm。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體 層的厚度為5nm-200nm；

并且所述第一電極層或所述第二電極層的厚度為5nm-200nm。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一布線層的 側面及上表面以及所述第二布線層的側面及上表面與所述氧化物半導 體層電連接。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體 層包括銦、鎵和鋅。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一電極層的 厚度和所述第二電極層的厚度小于所述氧化物半導體層的厚度的一 半。

7.一種半導體裝置，包括：

第一電極層及第二電極層；

所述第一電極層上的第一布線層；

所述第二電極層上的第二布線層；

所述第一電極層及所述第二電極層上的氧化物半導體層；

所述第一電極層、第二電極層、第一布線層、第二布線層和氧化 物半導體層上的柵極絕緣膜；以及

隔著所述柵極絕緣膜與所述第一電極層及所述第二電極層的端部 重疊的柵電極層，

所述第一電極層的側面及上表面以及所述第二電極層的側面及上 表面與所述氧化物半導體層電連接，

所述氧化物半導體層與所述第一電極層的側面和上表面以及所述 第二電極層的側面和上表面接觸，

并且，所述氧化物半導體層與所述第一布線層的側面和上表面以 及所述第二布線層的側面和上表面接觸。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，從所述第一電極層 的端部到所述第一布線層的端部的寬度或從所述第二電極層的端部到 所述第二布線層的端部的寬度為0.2μm-5μm。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，

其中，所述氧化物半導體層的厚度為5nm-200nm；

并且所述第一電極層或所述第二電極層的厚度為5nm-200nm。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述第一布線層的 側面及上表面以及所述第二布線層的側面及上表面與所述氧化物半導 體層電連接。

11.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體 層包括銦、鎵和鋅。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述第一電極層的 厚度和所述第二電極層的厚度小于所述氧化物半導體層的厚度的一 半。