[發(fā)明專利]正型光敏組合物有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010126103.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102004395A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸柱鉉;李鐘范;曺正煥;孫敬喆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 韓國(guó)錦湖石油化學(xué)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F7/039 | 分類號(hào): | G03F7/039;G03F7/021;G03F7/075 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光敏 組合 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2009年8月31在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)NO.10-2009-0081181的優(yōu)先權(quán),其公開(kāi)內(nèi)容以引用的方式并入本申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及正型光敏組合物,其可防止在半導(dǎo)體制造過(guò)程中出現(xiàn)的半導(dǎo)體片的翹曲現(xiàn)象,且具有優(yōu)異的延展性。
背景技術(shù)
一般來(lái)說(shuō),在半導(dǎo)體處理中使用的光敏組合物大多數(shù)顯示正型,因?yàn)楸黄毓獠糠直蛔贤饩€照射在堿水溶液中溶解。所述組合物可包含溶解在所述堿水溶液中的樹(shù)脂、在所述堿水溶液中不溶解而且對(duì)紫外線靈敏的光敏化合物和其他添加劑。
作為在所述堿水溶液中溶解的樹(shù)脂的實(shí)例,可以提到聚酰胺衍生物。此樹(shù)脂可通過(guò)加熱被轉(zhuǎn)化為聚酰胺和聚苯并噁唑,從而顯示耐熱樹(shù)脂的特性。在現(xiàn)有技術(shù)中,可使用不具有敏感度的組合物,然而近年來(lái),為了簡(jiǎn)化過(guò)程的目的出現(xiàn)了優(yōu)選具有敏感度的組合物的趨勢(shì)。高集成度伴隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展而加速,封裝技術(shù)可朝向不同于傳統(tǒng)封裝技術(shù)的顯著復(fù)雜的過(guò)程進(jìn)行。從現(xiàn)有技術(shù)的簡(jiǎn)單的一維封裝技術(shù)可采用至少兩層的高層疊封裝技術(shù)。所述高層疊封裝技術(shù)可為相較芯片尺寸最大化芯片容量的技術(shù)。在此情況下,為了減少由于層疊而被增加的芯片厚度,可通過(guò)在所述半導(dǎo)體制造過(guò)程中研磨芯片的后面而減小芯片厚度。當(dāng)所述芯片的厚度通過(guò)研磨所述薄膜的后面被最終減小至40μm或者更小時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)所述薄片的翹曲現(xiàn)象。由于在所述薄片前面和后面使用的材料不同,線性擴(kuò)展系數(shù)會(huì)不同,于是就會(huì)出現(xiàn)所述的翹曲現(xiàn)象。當(dāng)明顯地發(fā)生翹曲現(xiàn)象時(shí),在接下來(lái)的處理中薄片的操作可能是不方便的,而且錯(cuò)誤也會(huì)頻繁地發(fā)生,導(dǎo)致產(chǎn)率下降。
發(fā)明概述
本發(fā)明的一方面提供了一種正型光敏組合物,其可防止在半導(dǎo)體制造過(guò)程中出現(xiàn)的半導(dǎo)體片翹曲現(xiàn)象且具有優(yōu)異的延展性。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,其提供了一種包含聚酰胺衍生物的正型光敏組合物,所述聚酰胺衍生物表示為
[化學(xué)式1]
其中R1和R2各自獨(dú)立地表示含有至少2個(gè)碳原子的二價(jià)到六價(jià)的芳基;R3表示氫原子或者具有1到20個(gè)碳原子的烷基;R4表示具有線性結(jié)構(gòu)的烷基或者具有線性結(jié)構(gòu)的芳基;R5表示含有至少2個(gè)碳原子的二價(jià)到六價(jià)的芳基、具有線性結(jié)構(gòu)的烷基和具有線性結(jié)構(gòu)的芳基中的任何一種;k和l各自獨(dú)立地表示10到1000的整數(shù);n和m各自獨(dú)立地表示0到2的整數(shù)(n+m>0);X表示氫原子或者具有2到30個(gè)碳原子的芳基。
本發(fā)明的其它方面、特征和/或優(yōu)點(diǎn)將在接下來(lái)的描述中部分地被闡述,在所述描述中將變得清楚,或者可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐被領(lǐng)會(huì)。效果
根據(jù)示例性實(shí)施方案,在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,當(dāng)使用正型光敏組合物時(shí),可預(yù)防半導(dǎo)體片的翹曲現(xiàn)象的發(fā)生,且在半導(dǎo)體制造過(guò)程中可以容易地處理所述薄片,從而可以提高半導(dǎo)體處理的效率。
發(fā)明內(nèi)容
以下,將詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施方案的正型光敏組合物。
根據(jù)示例性實(shí)施方案的正型光敏組合物具有高度敏感度,和使在形成薄膜后薄片的翹曲現(xiàn)象的出現(xiàn)變得最小。所述正型光敏組合物可包括聚酰胺衍生物、重氮萘酚化合物和其他添加劑。作為所述添加劑的實(shí)例,可以提到交聯(lián)催化劑、助粘合劑、表面活性劑、抗腐蝕劑等。所述聚酰胺衍生物表示為
[化學(xué)式1]
其中R1和R2各自獨(dú)立地表示含有至少2個(gè)碳原子的二價(jià)到六價(jià)的芳基;R3表示氫原子或者具有1到20個(gè)碳原子的烷基;R4表示具有線性結(jié)構(gòu)的烷基或者具有線性結(jié)構(gòu)的芳基;R5表示含有至少2個(gè)碳原子的二價(jià)到六價(jià)的芳基、具有線性結(jié)構(gòu)的烷基和具有線性結(jié)構(gòu)的芳基中的任何一種;k和l各自獨(dú)立地表示10到1000的整數(shù);n和m各自獨(dú)立地表示0到2的整數(shù)(n+m>0);X表示氫原子或者具有2到30個(gè)碳原子的芳基。
在此情況下,R4可具有線性結(jié)構(gòu),且可表示具有20個(gè)或更少的碳原子且含有至少一個(gè)烯基的烷基,或者具有20個(gè)或更少的碳原子且含有至少一個(gè)烯基的芳基。此外R5可包括與R1或者R4相同的基團(tuán)。即,R1、R4和R5可具有相同的化學(xué)結(jié)構(gòu)。
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