[發明專利]半導體層生長方法及半導體發光元件制造方法無效
| 申請號： | 201010125298.0 | 申請日： | 2008-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN101807522A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發明（設計）人： | 大前曉;有持佑之;御友重吾;風田川統之;日野智公 | 申請（專利權）人： | 索尼株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 馬高平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 生長 方法 發光 元件 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種生長半導體層的方法，其包括在六方晶體結構基板的(1-102)面 上生長具有(11-20)面方位的六方晶體結構半導體層的步驟，所述半導體層 以(0001)面、(000-1)面和(11-22)面面向外生長或者以(11-20)面、(33-62) 面和(000-1)面面向外生長。
2.一種制造半導體發光元件的方法，其包括在六方晶體結構基板的 (1-102)面上生長具有(11-20)面方位的六方晶體結構半導體層的步驟， 所述半導體層以(0001)面、(000-1)面和(11-22)面面向外生長或者以 (11-20)面、(33-62)面和(000-1)面面向外生長。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
