[發明專利]防止晶圓翹曲的方法以及由該方法得到的晶圓有效
| 申請號： | 201010124643.9 | 申請日： | 2010-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN102194652A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 張步新 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 晶圓翹曲 方法 以及 得到 | ||
1.一種用于防止晶圓翹曲的方法，該方法包括下列步驟：
判斷待加工系列晶圓是否發生翹曲；
確定需要引入所述待加工系列晶圓的離子類型；
確定需要引入所述待加工系列晶圓的離子引入量；
在所述待加工系列晶圓上依次沉積氧化層并涂覆光刻膠；
對所述光刻膠進行曝光、顯影，暴露所述待加工系列晶圓的劃片槽上方的所述氧化層；
將所述離子類型的離子以所述離子引入量引入所述待加工系列晶圓的所述劃片槽；
去除所述光刻膠和所述氧化層；
對引入離子的所述待加工系列晶圓進行加熱；
對所述引入離子的所述待加工系列晶圓進行高溫退火工藝。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在翹曲檢測設備上檢測所述待加工系列晶圓是否發生翹曲。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述待加工系列晶圓的周邊向上翹曲時，所述離子類型采用氧離子或氮離子。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述待加工系列晶圓的周邊向下翹曲時，所述離子類型采用碳離子或氮離子與氧離子的混合離子。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述待加工系列晶圓的翹曲程度確定離子引入量。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述引入離子的待加工系列晶圓進行加熱的加熱溫度為400-1200攝氏度。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述加熱溫度為1000攝氏度。
8.一種根據權利要求1所述的方法得到的晶圓，其中，在所述晶圓的劃片槽中形成有應力區域。
9.根據權利要求8所述的晶圓，其特征在于，在所述應力區域中包含有氧離子、氮離子、碳離子或氮離子與氧離子的混合離子。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
