[發(fā)明專利]一種薄膜式熱流密度傳感器及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010124574.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101819074A | 公開(公告)日: | 2010-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郝慶瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)飛機(jī)強(qiáng)度研究所 |
| 主分類號(hào): | G01K17/00 | 分類號(hào): | G01K17/00;G01K17/08;G01K7/22 |
| 代理公司: | 中國(guó)航空專利中心 11008 | 代理人: | 杜永保 |
| 地址: | 710065 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 熱流 密度 傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜式熱流密度傳感器制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:提供一由金屬材料制成的水冷板基底;
步驟2:在所述基底上通過真空離子濺射的方式生成交錯(cuò)排列的熱電極 A和熱電極B,組成熱電堆;
步驟3:在熱電堆的兩端分別設(shè)置引出線;
步驟4:在設(shè)置有熱電堆的基底表面覆蓋兩層厚度不同的第一熱阻材料 和第二熱阻材料,且分別設(shè)置在熱電堆高溫端和熱電堆低溫端;
其中,步驟2所述的在基底上通過真空離子濺射的方式生成熱電極A 和熱電極B的工藝,進(jìn)一步細(xì)分為如下步驟:
s1:提供并安裝靶材和A組掩模版,其中,所述靶材為標(biāo)準(zhǔn)熱電極材 料;
s2:清洗基底,并安裝基底;
s3:抽真空并烘烤,當(dāng)真空抽到10-3Pa時(shí),加熱烘烤到150℃~250 ℃,并保持氣壓不高于3.0×10-3Pa;
s4:輝光清洗,充惰性氣體至0.5~2.0×10-3Pa,打開離子清洗電源, 電壓從1000V~2000V范圍逐步調(diào)整,使輝光清洗由弱逐漸增強(qiáng),真空室內(nèi) 出現(xiàn)清晰的輝光,整個(gè)輝光清洗過程保持8~12分鐘;
s5:在基底上濺射鍍膜,啟動(dòng)濺射電源和偏壓電源,減少惰性氣體供 給量,使真空度達(dá)到8×10-2Pa,偏壓電源電壓從零V起逐步調(diào)高至60~ 100V,濺射電源電壓從零V起逐步調(diào)高至500~700V,電流設(shè)定在3~5A, 保持濺射鍍膜過程10~20分鐘,使鍍膜厚度達(dá)到8~12微米,形成熱電極 A;
s6:冷卻10~20分鐘后,充惰性氣體降低真空度至1~3×10-1Pa,停留 5分鐘后充入大氣;
s7:取出待測(cè)構(gòu)件,將A組掩模版更換為B組掩模版,并重復(fù)步驟s2 至步驟s6,形成熱電極B,且二次所鍍薄膜之間存在作為測(cè)溫點(diǎn)的交接點(diǎn)。
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