[發明專利]一種互補金屬氧化物半導體器件結構的制作方法

有效

• 申請號: 201010124565.2
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102194752A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 吳永玉;神兆旭;何學緬;居建華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/105;H01L27/04
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種互補金屬氧化物半導體器件結構的制作方法，包括：

a：提供襯底(201)，所述襯底(201)包括第一區域(204A)和第二區域(204B)，在所述襯底(201)上形成柵介電層(205)和位于所述柵介電層(205)之上的柵極材料層(206)；

b：對相應于所述第二區域(204B)上的柵極材料層(206)進行n型離子預摻雜；

c：對相應于所述第一區域(204A)上的柵極材料層(206)進行p型離子預摻雜；

d：形成互補金屬氧化物半導體器件結構的后續結構；

其中，在步驟a與步驟b之間對所述柵極材料層(206)進行p型離子少劑量注入工藝或在步驟b與步驟c之間對所述柵極材料層(206)進行p型離子少劑量注入工藝。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型離子少劑量注入工藝采用的能量為1～5Kev。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述p型離子少劑量注入工藝采用的能量為2～3.5Kev。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型離子少劑量注入工藝采用的劑量為1×10¹²～1×10¹⁵cm^-2。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述p型離子少劑量注入工藝采用的劑量為1×10¹³～1×10¹⁴cm^-2。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型離子為硼離子。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述n型離子為選自磷離子或砷離子。

8.一種包含具有如權利要求1所述的方法制造的互補金屬氧化物半導體器件結構的半導體器件的集成電路，其中所述集成電路選自隨機存取存儲器、動態隨機存取存儲器、同步隨機存取存儲器、靜態隨機存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻器件。

9.一種包含具有如權利要求1所述的方法制造的互補金屬氧化物半導體器件結構的半導體器件的電子設備，其中所述電子設備選自個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機和數碼相機。