[發明專利]一種晶體硅太陽電池選擇性擴散工藝

有效

• 申請號: 201010124223.0
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN101777606A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 焦云峰;楊青天;衣蘭杰;姜言森
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.一種晶體硅太陽電池選擇性擴散工藝，其工藝步驟為：

（1）將清洗制絨后的硅片進行高溫濃磷擴散，擴散后方塊電阻為30－40歐姆；

（2）磷擴散后的硅片，采用5-10％的氫氟酸溶液清洗5－10min，去除磷硅玻璃；

（3）按照網板圖形在非電極柵線區域印刷腐蝕性漿料對其進行腐蝕，將印刷有腐蝕性漿料的硅片置于室溫空氣中停留2－3min，腐蝕厚度為200－300nm，將非電極柵線區域的方塊電阻腐蝕為80－100歐姆；

（4）將腐蝕后的硅片用去離子水超聲清洗3－5min，再次用去離子水沖洗5-10min。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池選擇性擴散工藝，其特征在于，所述的腐蝕性漿料為含有20-30%濃度的氟化氫氨，所述的濃度為質量比。