[發明專利]襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201010123911.5
• 申請日: 2010-02-26
• 公開（公告）號: CN101819920A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 岡田格
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉

技術領域

本發明涉及具有對襯底進行處理的工序的襯底處理裝置。

背景技術

以往，作為例如DRAM等半導體裝置的制造工序的一個工序，實 施在襯底上形成薄膜的襯底處理工序。所述襯底處理工序通過如下的 襯底處理裝置實施，該襯底處理裝置具有：收納以水平姿態多層層疊 的襯底并對襯底進行處理的處理室；向處理室內供給處理氣體的處理 氣體供給噴嘴；對處理室內進行排氣的排氣管線。而且，將支承了多 個襯底的襯底保持構件搬入處理室內，通過排氣管線對處理室內進行 排氣，并從處理氣體供給噴嘴向處理室內供給氣體，由此，使氣體在 各襯底間通過從而在襯底上形成薄膜。

但是，在上述襯底處理工序中，存在被供給到處理室內的處理氣 體不通過各襯底間而流入未層疊有襯底的區域(例如，比層疊有襯底 的區域高的區域，或比層疊有襯底的區域低的區域)的情況。其結果， 存在被供給到襯底的處理氣體的流量減少，成膜速度降低，或襯底面 內或襯底間的襯底處理的均勻性降低的情況。

另外，處理氣體流入未層疊有襯底的區域時，存在處理氣體附著 在所述區域中的處理室內壁上等，并生成成為異物發生要因的薄膜的 情況。

尤其，若未層疊有襯底的區域中的處理室內壁為低溫，則容易發 生成膜，另外，若處理室內壁為低溫，則即使進行氣體清洗(干式清 潔)，也難以除去薄膜。

發明內容

本發明的目的是提供一種襯底處理裝置，其能夠抑制處理氣體向 襯底沒有層疊的區域的流入，并促進處理氣體向襯底層疊區域的供 給。

本發明的一個方式的襯底處理裝置，具有：收納以水平姿態多層 層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；向所述處理室內供給一種以 上的處理氣體的處理氣體供給單元；向所述處理室內供給惰性氣體的 惰性氣體供給單元；對所述處理室內進行排氣的排氣單元，所述處理 氣體供給單元具有以沿所述處理室的內壁的方式在所述襯底的層疊 方向上延伸并向所述處理室內供給處理氣體的一根以上的處理氣體 供給噴嘴，所述惰性氣體供給單元具有向所述處理室內供給惰性氣體 的一對惰性氣體供給噴嘴，該惰性氣體供給噴嘴以沿所述處理室的內 壁的方式在所述襯底的層疊方向上延伸并沿所述襯底的圓周方向從 兩側夾著所述處理氣體供給噴嘴，所述一對惰性氣體供給噴嘴分別具 有向所述襯底層疊區域開口的一個以上的第一惰性氣體噴出口及向 所述襯底沒有層疊的區域開口的一個以上的第二惰性氣體噴出口。

根據本發明的其他方式，提供一種襯底處理裝置，具有：

外管；

配置在外管的內部，至少下端開放且收納以水平姿態多層層疊的 襯底的內管；

向內管的內部供給1種以上的處理氣體的處理氣體供給單元；

向內管的內部供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；

設置在內管的側壁上的與處理氣體供給噴嘴相對的位置上的排 氣孔，

處理氣體供給單元具有一根以上的處理氣體供給噴嘴，該處理氣 體供給噴嘴以在襯底的層疊方向上延伸的方式立設在內管的內部，具 有供給處理氣體的一個以上的處理氣體噴出口，

惰性氣體供給單元具有供給惰性氣體的一對惰性氣體供給噴嘴， 該一對惰性氣體供給噴嘴以在襯底的層疊方向上延伸并沿襯底的圓 周方向從兩側夾著處理氣體供給噴嘴的方式立設在內管的內部，

一對惰性氣體供給噴嘴分別具有向襯底層疊區域開口的一個以 上的第一惰性氣體噴出口及向襯底沒有層疊的區域開口的一個以上 的第二惰性氣體噴出口。

根據本發明的又一方式提供一種襯底處理裝置，是將兩種以上的 處理氣體以相互不混合的方式且以規定次數交替反復地向襯底的表 面供給，并在襯底的表面形成薄膜的襯底處理裝置，

具有：

收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；

向處理室內供給兩種以上的處理氣體的處理氣體供給單元；

向處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；

對處理室內進行排氣的排氣單元，

處理氣體供給單元具有以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊 方向上延伸且向處理室內供給處理氣體的兩根以上的處理氣體供給 噴嘴，