[發明專利]一種瞬態光柵衰減動力學的瞬態飽和吸收光譜測試方法

有效

• 申請號: 201010123758.6
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN101806722A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 賴天樹;陳科;王文芳
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: G01N21/31
• 分類號: G01N21/31;G01J3/42;G01J3/18
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1.一種瞬態光柵衰減動力學的瞬態飽和吸收光譜測試方法，其特點是在瞬態光柵后設置一個與其周期和光柵條紋取向均一致的黑白光柵，并與其盡量貼近；時間延遲探測光透過瞬態光柵和黑白光柵，只有對應黑白光柵之白縫部分的光射出，實現了黑白光柵對瞬態光柵的局部周期采樣；測量探測光的瞬態透射功率變化的時間延遲掃描曲線，反映瞬態光柵的衰減動力學；其特征在于當瞬態光柵由兩束平行線偏振泵浦光之迭加光場激發半導體樣品產生時，測試線偏振探測光的瞬態透射功率變化的時間延遲掃描曲線S(t)，反映了電子雙極輸運動力學；用方程(1)擬合該曲線，能夠獲得電子的雙極擴散常數和遷移率；

S(t)=A[1+Msinc(aΛ)sin(2πΛ(x0+μaEt))exp(-(2πΛ)2Dat)]exp(-t/Tr)---(1)]]>

式中A為擬合常數，M為瞬態光柵的調制度，a和Λ分別為黑白光柵的透射縫寬度和周期；μ_a和D_a分別為電子的雙極遷移率和擴散系數；T_r為電子的復合壽命；E為在樣品面內沿垂直光柵條紋方向施加的電場強度；x₀為黑白光柵的透射縫中心坐標，x₀＜Λ。