[發(fā)明專利]多晶硅存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010123727.0
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN101800226A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顧靖
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種多晶硅存儲器，其特征在于包括：

襯底和形成于所述襯底內(nèi)的第一漏極區(qū)、源極區(qū)和第二漏極區(qū)，所述源 極區(qū)位于所述第一漏極區(qū)和所述第二漏極區(qū)之間；

分別從所述第一漏極區(qū)、所述源極區(qū)和所述第二漏極區(qū)引出的第一漏極、 源極和第二漏極；

氮化硅層，位于所述源極之上，所述氮化硅層為浮柵用于存儲電荷；

控制柵，位于所述氮化硅層之上，所述控制柵為四邊形結(jié)構(gòu)，所述控制 柵的底面小于與其接觸的所述氮化硅層表面；

第一選擇柵，位于所述第一漏極和所述源極之間；

第二選擇柵，位于所述源極和所述第二漏極之間；

所述第一漏極、所述源極、所述第二漏極、所述控制柵、所述第一選擇 柵和所述第二選擇柵之間均用氧化物填充隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅存儲器，其特征在于：所述源極通過金屬 引線分別和所述第一漏極、所述第二漏極相連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅存儲器，其特征在于：在對所述存儲器進(jìn) 行讀取操作時，所述第一選擇柵上施加的電壓為2.5V，所述第二選擇柵上施 加的電壓為0V，所述第一漏極和所述第二漏極上施加電壓為0.8V，所述控制 柵上施加電壓為2.1V，所述源極施加電壓為0V。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅存儲器，其特征在于：在對所述存儲器進(jìn) 行編程操作時，所述第一選擇柵上施加的電壓為2.5V，所述第二選擇柵上施 加的電壓為0V，所述第一漏極和所述第二漏極上施加電壓為10V，所述控制 柵上施加電壓為10V，所述源極施加電壓為5V。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅存儲器，其特征在于：在對所述存儲器 進(jìn)行擦除操作時，所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述第一漏極、源極 和所述第二漏極上施加的電壓均為6V，所述控制柵上施加的電壓為-5V。